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70V3599S133BFG8

更新时间： 2024-01-02 15:48:30
品牌 Logo 应用领域
艾迪悌 - IDT 时钟静态存储器内存集成电路
页数 文件大小 规格书
23页 233K
描述
Multi-Port SRAM, 128KX36, 4.2ns, CMOS, PBGA208, 15 X 15 MM, 1.40 MM HEIGHT, 0.80 MM PITCH, GREEN, FPBGA-208

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70V3599S133BFG8 技术参数

是否无铅：不含铅是否Rohs认证：符合
生命周期：Active包装说明：BGA, BGA208,17X17,32
Reach Compliance Code：compliantECCN代码：3A991
HTS代码：8542.32.00.41风险等级：5.23
Is Samacsys：N最长访问时间：4.2 ns
其他特性：PIPELINED OR FLOW-THROUGH ARCHITECTURE最大时钟频率 (fCLK)：133 MHz
I/O 类型：COMMONJESD-30 代码：S-PBGA-B208
JESD-609代码：e1内存密度：4718592 bit
内存集成电路类型：MULTI-PORT SRAM内存宽度：36
湿度敏感等级：3功能数量：1
端口数量：2端子数量：208
字数：131072 words字数代码：128000
工作模式：SYNCHRONOUS最高工作温度：70 °C
最低工作温度：组织：128KX36
输出特性：3-STATE封装主体材料：PLASTIC/EPOXY
封装代码：BGA封装等效代码：BGA208,17X17,32
封装形状：SQUARE封装形式：GRID ARRAY
并行/串行：PARALLEL峰值回流温度（摄氏度）：260
电源：2.5/3.3,3.3 V认证状态：Not Qualified
最大待机电流：0.03 A最小待机电流：3.15 V
子类别：SRAMs最大压摆率：0.4 mA
最大供电电压 (Vsup)：3.45 V最小供电电压 (Vsup)：3.15 V
标称供电电压 (Vsup)：3.3 V表面贴装：YES
技术：CMOS温度等级：COMMERCIAL
端子面层：Tin/Silver/Copper (Sn/Ag/Cu)端子形式：BALL
端子节距：0.8 mm端子位置：BOTTOM
处于峰值回流温度下的最长时间：30Base Number Matches：1

70V3599S133BFG8 数据手册

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HIGH-SPEED 3.3V  
128/64K x 36  
SYNCHRONOUS  
DUAL-PORT STATIC RAM  
WITH 3.3V OR 2.5V INTERFACE  
IDT70V3599/89S  
Š
Features:  
◆
◆
True Dual-Port memory cells which allow simultaneous  
access of the same memory location  
Separate byte controls for multiplexed bus and bus  
matching compatibility  
◆
◆
◆
High-speed data access  
Dual Cycle Deselect (DCD) for Pipelined Output mode  
LVTTL- compatible, 3.3V (±150mV) power supply  
for core  
LVTTL compatible, selectable 3.3V (±150mV) or 2.5V  
(±100mV) power supply for I/Os and control signals on  
each port  
Industrial temperature range (-40°C to +85°C) is  
available at 133MHz.  
Available in a 208-pin Plastic Quad Flatpack (PQFP),  
208-pin fine pitch Ball Grid Array (fpBGA), and 256-pin Ball  
GridArray(BGA)  
– Commercial: 3.6ns (166MHz)/4.2ns (133MHz) (max.)  
– Industrial: 4.2ns (133MHz) (max.)  
Selectable Pipelined or Flow-Through output mode  
Counter enable and repeat features  
Dual chip enables allow for depth expansion without  
additional logic  
Full synchronous operation on both ports  
– 6ns cycle time, 166MHzoperation(12Gbps bandwidth)  
– Fast 3.6ns clock to data out  
◆
◆
◆
◆
◆
◆
◆
– 1.7ns setup to clock and 0.5ns hold on all control, data, and  
address inputs @ 166MHz  
– Data input, address, byte enable and control registers  
– Self-timedwriteallowsfastcycletime  
◆
◆
Supports JTAG features compliant with IEEE 1149.1  
Green parts available, see ordering information  
Functional Block Diagram  
BE3R  
BE3L  
BE2L  
BE1L  
BE0L  
BE2R  
BE1R  
BE0R  
FT/PIPE  
L
0a 1a  
a
0b 1b  
b
0c 1c  
c
0d 1d  
d
1d 0d  
d
1c 0c  
c
1b 0b  
b
1a 0a  
a
FT/PIPE  
R
1/0  
1/0  
R/WL  
R/WR  
CE0L  
CE0R  
1
1
CE1R  
CE1L  
0
0
B
W
0
B
W
1
B B  
B
B
B
B
1/0  
1/0  
W W W  
W
W W  
2
L
3
L
3
R
2
R
1
R
0
R
L
L
OE  
R
OE  
L
Dout0-8_L  
Dout0-8_R  
Dout9-17_R  
Dout18-26_R  
Dout27-35_R  
Dout9-17_L  
Dout18-26_L  
Dout27-35_L  
,
1d 0d 1c 0c  
1b 0b 1a 0a  
0a 1a 0b 1b  
0c 1c 0d 1d  
d c b a  
0/1  
0/1  
FT/PIPE  
L
FT/PIPER  
abcd  
128K x 36  
MEMORY  
ARRAY  
I/O0L - I/O35L  
I/O0R - I/O35R  
Din_L  
Din_R  
,
CLKR  
CLKL  
(1)  
(1)  
A
A
A
16L  
16R  
Counter/  
Address  
Reg.  
Counter/  
Address  
Reg.  
A
0L  
0R  
ADDR_R  
ADDR_L  
REPEAT  
ADS  
CNTEN  
L
REPEAT  
ADS  
CNTEN  
R
R
L
R
L
5617 tbl 01  
TDI  
TCK  
TMS  
TRST  
JTAG  
TDO  
NOTE:  
1. A16 is a NC for IDT70V3589.  
JANUARY 2009  
1
DSC 5617/8  
©2009 IntegratedDeviceTechnology,Inc.  
1234567...23

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型号 品牌 获取价格 描述 数据表
70V3599S133BFGI IDT

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 		HIGH-SPEED 3.3V SYNCHRONOUS DUAL-PORT STATIC RAM
70V3599S133BFGI8 IDT

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 		HIGH-SPEED 3.3V SYNCHRONOUS DUAL-PORT STATIC RAM
70V3599S133DRG IDT

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 		Dual-Port SRAM, 128KX36, 15ns, CMOS, PQFP208, 28 X 28 MM, 3.50 MM HEIGHT, GREEN, PLASTIC,
70V3599S133DRG8 IDT

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 		Application Specific SRAM, 128KX36, 4.2ns, CMOS, PQFP208, 28 X 28 MM, 3.50 MM HEIGHT, GREE
70V3599S133DRGI IDT

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 		HIGH-SPEED 3.3V 128/64K x 36 SYNCHRONOUS DUAL-PORT STATIC RAM
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