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70P264L55BYGI8

更新时间： 2024-02-17 04:43:11

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艾迪悌 - IDT		静态存储器内存集成电路
页数	文件大小	规格书
14页	116K
描述
Dual-Port SRAM, 16KX16, 55ns, CMOS, PBGA81, 0.50 MM PITCH, GREEN, BGA-81

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70P264L55BYGI8 技术参数

是否无铅：	不含铅	是否Rohs认证：	符合
生命周期：	Obsolete	零件包装代码：	BGA
包装说明：	0.50 MM PITCH, GREEN, BGA-81	针数：	81
Reach Compliance Code：	compliant	ECCN代码：	EAR99
HTS代码：	8542.32.00.41	风险等级：	5.71
最长访问时间：	55 ns	I/O 类型：	COMMON
JESD-30 代码：	S-PBGA-B81	JESD-609代码：	e1
内存密度：	262144 bit	内存集成电路类型：	DUAL-PORT SRAM
内存宽度：	16	湿度敏感等级：	3
功能数量：	1	端口数量：	2
端子数量：	81	字数：	16384 words
字数代码：	16000	工作模式：	ASYNCHRONOUS
最高工作温度：	85 °C	最低工作温度：	-40 °C
组织：	16KX16	输出特性：	3-STATE
封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY	封装代码：	BGA
封装等效代码：	BGA81,9X9,20	封装形状：	SQUARE
封装形式：	GRID ARRAY	并行/串行：	PARALLEL
峰值回流温度（摄氏度）：	260	电源：	1.8 V
认证状态：	Not Qualified	最大待机电流：	0.000006 A
子类别：	SRAMs	最大压摆率：	0.025 mA
最大供电电压 (Vsup)：	1.9 V	最小供电电压 (Vsup)：	1.7 V
标称供电电压 (Vsup)：	1.8 V	表面贴装：	YES
技术：	CMOS	温度等级：	INDUSTRIAL
端子面层：	TIN SILVER COPPER	端子形式：	BALL
端子节距：	0.5 mm	端子位置：	BOTTOM
处于峰值回流温度下的最长时间：	30	Base Number Matches：	1

70P264L55BYGI8 数据手册

IDT70P264/254/244L

Low Power 1.8V 16K/8K/4K x 16 Dual-Port Static RAM

Datasheet

Industrial Temperature Range

AC Test Conditions

Input Pulse Levels

GND to 3.0V/GND to 2.5V/GND to 1.8V

Input Rise/Fall Times

Input Timing Reference Levels

Output Reference Levels

Output Load

3ns Max.

1.5V/1.25V/0.9V

Figure 1A

7148 tbl 10

3.3V

3.0V/2.5V1.8V

R3 = 1kΩ

3.0V/2.5V

1.8V

1022Ω

729Ω

13500Ω

10800Ω

30pF

7148 tbl 10_5

30pF

7148 drw 03a

7148 drw 03

Figure 1B. AC Output Test Load for Interrupt

Figure 1A. AC Output Test Load

(5pF for tLZ, tHZ, tWZ, tOW)

Timing of Power-Up Power-Down

tPU

tPD

50%

7148 drw 04

6.42

1...4 5 678 9 10...14

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