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70P264L55BYGI8

更新时间： 2024-01-27 16:06:52
品牌 Logo 应用领域
艾迪悌 - IDT 静态存储器内存集成电路
页数 文件大小 规格书
14页 116K
描述
Dual-Port SRAM, 16KX16, 55ns, CMOS, PBGA81, 0.50 MM PITCH, GREEN, BGA-81

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70P264L55BYGI8 技术参数

是否无铅： 不含铅是否Rohs认证： 符合
生命周期：Obsolete零件包装代码：BGA
包装说明：0.50 MM PITCH, GREEN, BGA-81针数：81
Reach Compliance Code：compliantECCN代码：EAR99
HTS代码：8542.32.00.41风险等级：5.71
最长访问时间：55 nsI/O 类型：COMMON
JESD-30 代码：S-PBGA-B81JESD-609代码：e1
内存密度：262144 bit内存集成电路类型：DUAL-PORT SRAM
内存宽度：16湿度敏感等级：3
功能数量：1端口数量：2
端子数量：81字数：16384 words
字数代码：16000工作模式：ASYNCHRONOUS
最高工作温度：85 °C最低工作温度：-40 °C
组织：16KX16输出特性：3-STATE
封装主体材料：PLASTIC/EPOXY封装代码：BGA
封装等效代码：BGA81,9X9,20封装形状：SQUARE
封装形式：GRID ARRAY并行/串行：PARALLEL
峰值回流温度（摄氏度）：260电源：1.8 V
认证状态：Not Qualified最大待机电流：0.000006 A
子类别：SRAMs最大压摆率：0.025 mA
最大供电电压 (Vsup)：1.9 V最小供电电压 (Vsup)：1.7 V
标称供电电压 (Vsup)：1.8 V表面贴装：YES
技术：CMOS温度等级：INDUSTRIAL
端子面层：TIN SILVER COPPER端子形式：BALL
端子节距：0.5 mm端子位置：BOTTOM
处于峰值回流温度下的最长时间：30Base Number Matches：1

70P264L55BYGI8 数据手册

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IDT70P264/254/244L  
Datasheet  
Low Power 1.8V 16K/8K/4K x 16 Dual-Port Static RAM  
Industrial Temperature Range  
DC Electrical Characteristics Over the Operating  
Temperature and Supply Voltage Range (VDD = 1.8V ± 100mV)  
Symbol  
Parameter  
Min.  
Max.  
Unit  
Test Conditions  
DD = 1.8V, VIN = 0V to  
CE = VIH, VOUT = 0V to  
OLL = +2mA  
OHL = -2mA  
OLL = +2mA  
OHL = -2mA  
OLL = +0.1mA  
OHL = -0.1mA  
OLR = +0.1mA  
OHR = -0.1mA  
OL = +2mA  
I
I
LI  
Input Leakage Current  
-1  
1
1
µA  
µA  
V
V
VDD  
LO  
Output Leakage Current  
-1  
VDD  
___  
V
OLL  
Output Low Voltage (VDDQL = 3.0V)  
Output High Voltage (VDDQL = 3.0V)  
Output Low Voltage (VDDQL = 2.5V)  
Output High Voltage (VDDQL = 2.5V)  
Output Low Voltage (VDDQL = 1.8V)  
Output High Voltage (VDDQL = 1.8V)  
Output Low Voltage  
0.4  
I
___  
V
V
V
V
V
V
V
V
OHL  
2.1  
V
I
___  
OLL  
0.4  
V
I
___  
OHL  
OLL  
2.0  
V
I
___  
0.2  
V
I
___  
OHL  
OLR  
OHR  
OLINT  
V
DDQL - 0.2V  
V
I
___  
0.2  
V
I
___  
Output High Voltage  
V
DD - 0.2V  
V
I
___  
(1,2)  
Output Low Voltage Interrupt  
0.4  
V
I
7148 tbl 08  
NOTES:  
1. Interrupt can be level shifted to a higher voltage by tieing a resistor (R3) to an external power supply (VDDINTX). The value of R3 is a trade off between  
tINX and power.  
2. VDDINTR > VDD, VDDINTL > VDDQL  
DC Electrical Characteristics Over the Operating  
Temperature and Supply Voltage Range (VDD = 1.8V ±100mV)  
70P264/254/244  
Ind'l Only  
40ns  
Typ.(1)  
55ns  
Typ.(1)  
Symbol  
Parameter  
Test Condition  
L = VIL, Outputs Open  
Version  
IND'L  
Max.  
Max.  
Unit  
IDD  
Dynamic Operating Current  
(Both Ports Active)  
mA  
L
L
L
25  
40  
15  
25  
CE  
R
and CE  
(2)  
f = fMAX  
ISB1  
Standby Current (Both Ports  
Inactive)  
2
2
µA  
mA  
µA  
CE  
R
= VDD - 0.2V and CEL =  
VDDQL - 0.2V  
,
IND'L  
IND'L  
6
6
(2)  
f = fMAX  
ISB2  
Standby Current (One Port  
Inactive, One Port Active)  
8.5  
18  
8.5  
14  
CE"  
f = fMAX  
A
" = VIL and CE"  
B
" = VIH(3), Active Port Outputs Open  
(2)  
ISB3  
Full Standby Current (Both  
Ports Inactive - CMOS Level  
Inputs)  
CE  
f = 0  
L
> VDDQL - 0.2V and CE  
R
> VDD - 0.2V,  
2
IND'L  
IND'L  
L
L
6
2
6
(3)  
ISB4  
Standby Current (One Port  
Inactive, One Port Active -  
CMOS Level Inputs)  
8.5  
18  
8.5  
14  
mA  
CE"A" < 0.2V and CE"B" > VDDQ - 0.2V  
,
Active Port Outputs Open  
(2)  
f = fMAX  
7148 tbl 09  
NOTES:  
1. VDD = 1.8V, TA = +25°C, and are not production tested. IDD = 15mA (typ.)  
2. At f = fMAX, address and control lines are cycling at the maximum frequency read cycle of 1/tRC, and using “AC Test Conditions”.  
3. Port "A" may be either left or right port. Port "B" is the opposite from port "A".  
6.42  
6
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