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70P245L65BYGI8

更新时间： 2024-01-13 14:36:38

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艾迪悌 - IDT		静态存储器内存集成电路
页数	文件大小	规格书
22页	156K
描述
Dual-Port SRAM, 4KX16, 65ns, CMOS, PBGA100, 0.50 MM PITCH, GREEN, BGA-100

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70P245L65BYGI8 技术参数

是否无铅：	不含铅	是否Rohs认证：	符合
生命周期：	Obsolete	零件包装代码：	BGA
包装说明：	0.50 MM PITCH, GREEN, BGA-100	针数：	100
Reach Compliance Code：	compliant	ECCN代码：	EAR99
HTS代码：	8542.32.00.41	风险等级：	5.67
Is Samacsys：	N	最长访问时间：	65 ns
其他特性：	IT CAN OPERATE ALSO 2.5 TO 3 VOLT	I/O 类型：	COMMON
JESD-30 代码：	S-PBGA-B100	JESD-609代码：	e1
内存密度：	65536 bit	内存集成电路类型：	DUAL-PORT SRAM
内存宽度：	16	湿度敏感等级：	3
功能数量：	1	端口数量：	2
端子数量：	100	字数：	4096 words
字数代码：	4000	工作模式：	ASYNCHRONOUS
最高工作温度：	85 °C	最低工作温度：	-40 °C
组织：	4KX16	输出特性：	3-STATE
封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY	封装代码：	BGA
封装等效代码：	BGA100,10X10,20	封装形状：	SQUARE
封装形式：	GRID ARRAY	并行/串行：	PARALLEL
峰值回流温度（摄氏度）：	260	电源：	1.8/3 V
认证状态：	Not Qualified	最大待机电流：	0.000008 A
子类别：	SRAMs	最大压摆率：	0.07 mA
最大供电电压 (Vsup)：	1.9 V	最小供电电压 (Vsup)：	1.7 V
标称供电电压 (Vsup)：	1.8 V	表面贴装：	YES
技术：	CMOS	温度等级：	INDUSTRIAL
端子面层：	Tin/Silver/Copper (Sn/Ag/Cu)	端子形式：	BALL
端子节距：	0.5 mm	端子位置：	BOTTOM
处于峰值回流温度下的最长时间：	30	Base Number Matches：	1

70P245L65BYGI8 数据手册

IDT70P265/255/245L

Low Power 16K/8K/4K x 16 Dual-Port Static RAM

Industrial Temperature Range

Truth Table III — Interrupt Flag⁽¹⁾

Left Port

Right Port

13L-A0L

13R-A0R

Function

Set Right INT Flag

Reset Right INT Flag

Set Left INT Flag

Reset Left INT Flag

INT

INTR

3FFF⁽²⁾

3FFE⁽³⁾

7145 tbl 16

NOTES:

1. Assumes BUSY^L= BUSYR = VIH.

2. 3FFF for 70P265, 1FFF for 70P255, FFF for 70P245.

3. 3FFE for 70P265, 1FFE for 70P255, FFE for 70P245.

Truth Table IV —

Address BUSY Arbitration

Inputs

Outputs

Address Match

Function

Normal

BUSY

BUSYR

Left/Right Port

NO MATCH

MATCH

(1)

Write Inhibit⁽²⁾

7145 tbl 17

NOTES:

1. L if the inputs to the opposite port were stable prior to the address and enable inputs of this port. H if the inputs to the opposite port became stable after the address

and enable inputs of this port. If tPS is not met, either BUSYL or BUSYR = LOW will result. BUSYL and BUSYR outputs cannot be LOW simultaneously.

2. Writes to the left port are internally ignored when BUSY^Loutputs are driving LOW regardless of actual logic level on the pin. Writes to the right port are internally ignored

when BUSY^Routputs are driving LOW regardless of actual logic level on the pin.

6.42

SEPTEMBER29,2011

1...15 16 171819 20 21 22

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型号	品牌	描述	获取价格	数据表
70P245L65BYI	IDT	Application Specific SRAM, 4KX16, 65ns, CMOS, PBGA100, 0.50 MM PITCH, BGA-100	获取价格
70P245L90BYGI	IDT	Dual-Port SRAM, 4KX16, 90ns, CMOS, PBGA100, 0.5 MM PITCH, GREEN, BGA-100	获取价格
70P245L90BYGI8	IDT	Dual-Port SRAM, 4KX16, 90ns, CMOS, PBGA100, 0.50 MM PITCH, GREEN, BGA-100	获取价格
70P245L90BYI	IDT	Application Specific SRAM, 4KX16, 90ns, CMOS, PBGA100, 0.50 MM PITCH, BGA-100	获取价格
70P246L55BYGI	IDT	Dual-Port SRAM, 4KX16, 55ns, CMOS, PBGA100, 6 X 6 MM, 1 MM HEIGHT, 0.50 MM PITCH, GREEN, B	获取价格
70P246L55BYGI8	IDT	SRAM	获取价格

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