是否无铅: | 含铅 | 是否Rohs认证: | 不符合 |
生命周期: | Obsolete | 零件包装代码: | QFP |
包装说明: | DFP, QFL84,1.2SQ | 针数: | 84 |
Reach Compliance Code: | not_compliant | ECCN代码: | 3A001 |
HTS代码: | 8542.32.00.41 | 风险等级: | 5.48 |
最长访问时间: | 70 ns | I/O 类型: | COMMON |
JESD-30 代码: | S-XQFP-F84 | JESD-609代码: | e0 |
长度: | 29.21 mm | 内存密度: | 131072 bit |
内存集成电路类型: | DUAL-PORT SRAM | 内存宽度: | 16 |
功能数量: | 1 | 端口数量: | 2 |
端子数量: | 84 | 字数: | 8192 words |
字数代码: | 8000 | 工作模式: | ASYNCHRONOUS |
最高工作温度: | 125 °C | 最低工作温度: | -55 °C |
组织: | 8KX16 | 输出特性: | 3-STATE |
封装主体材料: | UNSPECIFIED | 封装代码: | DFP |
封装等效代码: | QFL84,1.2SQ | 封装形状: | SQUARE |
封装形式: | FLATPACK | 并行/串行: | PARALLEL |
峰值回流温度(摄氏度): | 225 | 电源: | 5 V |
认证状态: | Not Qualified | 筛选级别: | MIL-PRF-38535 |
座面最大高度: | 3.556 mm | 最大待机电流: | 0.03 A |
最小待机电流: | 4.5 V | 子类别: | SRAMs |
最大压摆率: | 0.3 mA | 最大供电电压 (Vsup): | 5.5 V |
最小供电电压 (Vsup): | 4.5 V | 标称供电电压 (Vsup): | 5 V |
表面贴装: | YES | 技术: | CMOS |
温度等级: | MILITARY | 端子面层: | Tin/Lead (Sn/Pb) |
端子形式: | FLAT | 端子节距: | 1.27 mm |
端子位置: | QUAD | 处于峰值回流温度下的最长时间: | 20 |
宽度: | 29.21 mm | Base Number Matches: | 1 |
型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
7025S70FGB | IDT |
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Dual-Port SRAM | |
7025S70FGB8 | IDT |
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HIGH-SPEED 8K x 16 DUAL-PORT STATIC RAM | |
7025S70FGI8 | IDT |
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HIGH-SPEED 8K x 16 DUAL-PORT STATIC RAM | |
7025S70GGB | IDT |
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Dual-Port SRAM | |
7025S70GGB8 | IDT |
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HIGH-SPEED 8K x 16 DUAL-PORT STATIC RAM | |
7025S70GGI8 | IDT |
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HIGH-SPEED 8K x 16 DUAL-PORT STATIC RAM | |
7025S70JB | IDT |
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Dual-Port SRAM, 8KX16, 70ns, CMOS, PQCC84, PLASTIC, LCC-84 | |
7025S70JGB8 | IDT |
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HIGH-SPEED 8K x 16 DUAL-PORT STATIC RAM | |
7025S70JGI8 | IDT |
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HIGH-SPEED 8K x 16 DUAL-PORT STATIC RAM | |
7025S70PFB | IDT |
获取价格 |
Dual-Port SRAM, 8KX16, 70ns, CMOS, PQFP100, TQFP-100 |