Datasheet > 7024S70JGB

7024S70JGB

更新时间： 2024-11-02 19:31:23

品牌	Logo	应用领域
艾迪悌 - IDT		静态存储器内存集成电路
页数	文件大小	规格书
22页	187K
描述
Dual-Port SRAM, 4KX16, 70ns, CMOS, PQCC84

阅读下载

中文翻译

获取价格

技术参数
数据手册

如果您发现信息不准确，欢迎纠错

7024S70JGB 技术参数

是否无铅：	不含铅	是否Rohs认证：	符合
生命周期：	Active	包装说明：	QCCJ, LDCC84,1.2SQ
Reach Compliance Code：	compliant	风险等级：	5.45
最长访问时间：	70 ns	I/O 类型：	COMMON
JESD-30 代码：	S-PQCC-J84	JESD-609代码：	e3
内存密度：	65536 bit	内存集成电路类型：	DUAL-PORT SRAM
内存宽度：	16	湿度敏感等级：	3
功能数量：	1	端口数量：	2
端子数量：	84	字数：	4096 words
字数代码：	4000	工作模式：	ASYNCHRONOUS
最高工作温度：	125 °C	最低工作温度：	-55 °C
组织：	4KX16	输出特性：	3-STATE
封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY	封装代码：	QCCJ
封装等效代码：	LDCC84,1.2SQ	封装形状：	SQUARE
封装形式：	CHIP CARRIER	并行/串行：	PARALLEL
峰值回流温度（摄氏度）：	260	电源：	5 V
认证状态：	Not Qualified	筛选级别：	MIL-PRF-38535
最大待机电流：	0.00003 A	最小待机电流：	4.5 V
子类别：	SRAMs	最大压摆率：	0.3 mA
最大供电电压 (Vsup)：	5.5 V	最小供电电压 (Vsup)：	4.5 V
标称供电电压 (Vsup)：	5 V	表面贴装：	YES
技术：	CMOS	温度等级：	MILITARY
端子面层：	Matte Tin (Sn) - annealed	端子形式：	J BEND
端子节距：	1.27 mm	端子位置：	QUAD
处于峰值回流温度下的最长时间：	30	Base Number Matches：	1

7024S70JGB 数据手册

HIGH-SPEED

IDT7024S/L

4K x 16 DUAL-PORT

STATIC RAM

◆

IDT7024 easily expands data bus width to 32 bits or more

using the Master/Slave select when cascading more than

one device

M/S = H for BUSY output flag on Master

M/S = L for BUSY input on Slave

Interrupt Flag

On-chip port arbitration logic

Full on-chip hardware support of semaphore signaling

between ports

Fully asynchronous operation from either port

Battery backup operation—2V data retention

TTL-compatible, single 5V (±10%) power supply

Available in 84-pin PGA, Flatpack, PLCC, and 100-pin Thin

Quad Flatpack

Industrial temperature range (–40°C to +85°C) is available

for selected speeds

Green parts availble, see ordering information

Features

◆

True Dual-Ported memory cells which allow simultaneous

reads of the same memory location

High-speed access

◆

– Military:20/25/35/55/70ns(max.)

– Industrial:55ns (max.)

◆

– Commercial:15/17/20/25/35/55ns(max.)

Low-power operation

◆

– IDT7024S

◆

Active:750mW(typ.)

Standby: 5mW (typ.)

– IDT7024L

Active:750mW(typ.)

Standby: 1mW (typ.)

Separate upper-byte and lower-byte control for multiplexed

◆

bus compatibility

FunctionalBlockDiagram

R/W

UBL

LBR

I/O8L-I/O15L

I/O0L-I/O7L

I/O8R-I/O15R

I/O

Control

I/O

Control

I/O0R-I/O7R

BUSY ^(1,2)

BUSYR

(1,2)

11R

11L

Address

Decoder

MEMORY

ARRAY

Address

Decoder

ARBITRATION

INTERRUPT

SEMAPHORE

LOGIC

R/W

SEM

(2)

INT ⁽²⁾

M/S

INTR

2740 drw 01

NOTES:

1. (MASTER): BUSY is output; (SLAVE): BUSY is input.

2. BUSY outputs and INT outputs are non-tri-stated push-pull.

JUNE 2013

DSC 2740/14

12 3 4 5 6 7...22

中文翻译

下载PDF

与7024S70JGB相关器件

型号	品牌	获取价格	描述	数据表
7024S70JGB8	IDT	获取价格	HIGH-SPEED 4K x 16 DUAL-PORT STATIC RAM
7024S70JGI8	IDT	获取价格	HIGH-SPEED 4K x 16 DUAL-PORT STATIC RAM
7024S70PFB	IDT	获取价格	Multi-Port SRAM, 4KX16, 70ns, CMOS, PQFP100, 14 X 14 MM, 1.40 MM HEIGHT, TQFP-100
7024S70PFGB	IDT	获取价格	Dual-Port SRAM, 4KX16, 70ns, CMOS, PQFP100
7024S70PFGB8	IDT	获取价格	HIGH-SPEED 4K x 16 DUAL-PORT STATIC RAM
7024S70PFGI8	IDT	获取价格	HIGH-SPEED 4K x 16 DUAL-PORT STATIC RAM
7025	BOURNS	获取价格	Common Mode EMI Chokes
7025	RENESAS	获取价格	8K x 16 Dual-Port RAM
7025.4010	SCHURTER	获取价格	Electric Fuse, 1A, 500VAC, 100000A (IR), Inline/holder, ROHS COMPLIANT
7025.404	SCHURTER	获取价格	Electric Fuse, ELECTRIC FUSE, 6A, 500VAC, 100000A (IR), INLINE/HOLDER, ROHS COMPLIANT

与7024S70JGB相关文章

英伟达新AI芯片Rubin或提前半年亮相
2024-11-05

6
苹果iPhone 17将全系采用三星/LG显示LTPO OLED面板
2024-11-05

3
三星深化印度制造布局，供应链本地化进程加速
2024-10-29

24
芯擎科技“星辰一号”自动驾驶芯片点亮成功，2025年量产在即
2024-10-29

25

产品中心

服务支持

精选活动

关于我们

帮助中心

7024S70JGB

7024S70JGB 技术参数

7024S70JGB 数据手册

与7024S70JGB相关器件

与7024S70JGB相关文章

您还可以找

产品中心

服务支持

精选活动

关于我们

帮助中心

7024S70JGB

7024S70JGB 技术参数

7024S70JGB 数据手册

与7024S70JGB相关器件

与7024S70JGB相关文章

您还可以找

您在本页遇到什么问题？