是否无铅: | 含铅 | 是否Rohs认证: | 不符合 |
生命周期: | Active | 包装说明: | QFF, QFL84,1.2SQ |
Reach Compliance Code: | not_compliant | ECCN代码: | 3A001 |
HTS代码: | 8542.32.00.41 | 风险等级: | 5.43 |
最长访问时间: | 70 ns | I/O 类型: | COMMON |
JESD-30 代码: | S-PQFP-F84 | JESD-609代码: | e0 |
内存密度: | 65536 bit | 内存集成电路类型: | MULTI-PORT SRAM |
内存宽度: | 16 | 功能数量: | 1 |
端口数量: | 2 | 端子数量: | 84 |
字数: | 4096 words | 字数代码: | 4000 |
工作模式: | ASYNCHRONOUS | 最高工作温度: | 125 °C |
最低工作温度: | -55 °C | 组织: | 4KX16 |
输出特性: | 3-STATE | 封装主体材料: | PLASTIC/EPOXY |
封装代码: | QFF | 封装等效代码: | QFL84,1.2SQ |
封装形状: | SQUARE | 封装形式: | FLATPACK |
并行/串行: | PARALLEL | 峰值回流温度(摄氏度): | 225 |
电源: | 5 V | 认证状态: | Not Qualified |
筛选级别: | MIL-PRF-38535 | 最大待机电流: | 0.004 A |
最小待机电流: | 2 V | 子类别: | SRAMs |
最大压摆率: | 0.25 mA | 最大供电电压 (Vsup): | 5.5 V |
最小供电电压 (Vsup): | 4.5 V | 标称供电电压 (Vsup): | 5 V |
表面贴装: | YES | 技术: | CMOS |
温度等级: | MILITARY | 端子面层: | Tin/Lead (Sn/Pb) |
端子形式: | FLAT | 端子节距: | 1.27 mm |
端子位置: | QUAD | 处于峰值回流温度下的最长时间: | 30 |
Base Number Matches: | 1 |
型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
7024L70FGB8 | IDT |
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HIGH-SPEED 4K x 16 DUAL-PORT STATIC RAM | |
7024L70FGI8 | IDT |
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HIGH-SPEED 4K x 16 DUAL-PORT STATIC RAM | |
7024L70GG | IDT |
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Multi-Port SRAM, 4KX16, 70ns, CMOS, CPGA84 | |
7024L70GGB | IDT |
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Dual-Port SRAM, 4KX16, 70ns, CMOS, CPGA84 | |
7024L70GGB8 | IDT |
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HIGH-SPEED 4K x 16 DUAL-PORT STATIC RAM | |
7024L70GGI8 | IDT |
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HIGH-SPEED 4K x 16 DUAL-PORT STATIC RAM | |
7024L70JB | IDT |
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Multi-Port SRAM, 4KX16, 70ns, CMOS, PQCC84, 1.150 X 1.150 INCH, 0.170 INCH HEIGHT, PLASTIC | |
7024L70JGB | IDT |
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Dual-Port SRAM, 4KX16, 70ns, CMOS, PQCC84 | |
7024L70JGB8 | IDT |
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HIGH-SPEED 4K x 16 DUAL-PORT STATIC RAM | |
7024L70JGI8 | IDT |
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HIGH-SPEED 4K x 16 DUAL-PORT STATIC RAM |