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| 是否无铅： | 不含铅 | 是否Rohs认证： | 符合 |
| 生命周期： | Active | 零件包装代码： | PLCC |
| 包装说明： | QCCJ, LDCC68,1.0SQ | 针数： | 68 |
| Reach Compliance Code： | compliant | ECCN代码： | EAR99 |
| HTS代码： | 8542.32.00.41 | 风险等级： | 5.39 |
| Samacsys Description： | PLCC | 最长访问时间： | 12 ns |
| I/O 类型： | COMMON | JESD-30 代码： | S-PQCC-J68 |
| JESD-609代码： | e3 | 长度： | 24.2062 mm |
| 内存密度： | 147456 bit | 内存集成电路类型： | DUAL-PORT SRAM |
| 内存宽度： | 9 | 湿度敏感等级： | 1 |
| 功能数量： | 1 | 端口数量： | 2 |
| 端子数量： | 68 | 字数： | 16384 words |
| 字数代码： | 16000 | 工作模式： | ASYNCHRONOUS |
| 最高工作温度： | 70 °C | 最低工作温度： | |
| 组织： | 16KX9 | 输出特性： | 3-STATE |
| 封装主体材料： | PLASTIC/EPOXY | 封装代码： | QCCJ |
| 封装等效代码： | LDCC68,1.0SQ | 封装形状： | SQUARE |
| 封装形式： | CHIP CARRIER | 并行/串行： | PARALLEL |
| 峰值回流温度（摄氏度）： | 260 | 电源： | 5 V |
| 认证状态： | Not Qualified | 座面最大高度： | 4.57 mm |
| 最大待机电流： | 0.005 A | 最小待机电流： | 4.5 V |
| 子类别： | SRAMs | 最大压摆率： | 0.275 mA |
| 最大供电电压 (Vsup)： | 5.5 V | 最小供电电压 (Vsup)： | 4.5 V |
| 标称供电电压 (Vsup)： | 5 V | 表面贴装： | YES |
| 技术： | CMOS | 温度等级： | COMMERCIAL |
| 端子面层： | Matte Tin (Sn) - annealed | 端子形式： | J BEND |
| 端子节距： | 1.27 mm | 端子位置： | QUAD |
| 处于峰值回流温度下的最长时间： | NOT SPECIFIED | 宽度： | 24.2062 mm |
| Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| 7016L12JG8 | IDT |
获取价格 |
HIGH-SPEED 16K X 9 DUAL-PORT STATIC RAM |
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| 7016L12JGB | IDT |
获取价格 |
HIGH-SPEED 16K X 9 DUAL-PORT STATIC RAM |
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| 7016L12JGB8 | IDT |
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HIGH-SPEED 16K X 9 DUAL-PORT STATIC RAM |
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| 7016L12JGI | IDT |
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HIGH-SPEED 16K X 9 DUAL-PORT STATIC RAM |
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| 7016L12JGI8 | IDT |
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HIGH-SPEED 16K X 9 DUAL-PORT STATIC RAM |
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| 7016L12PF | IDT |
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TQFP-80, Tray |
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| 7016L12PFG | IDT |
获取价格 |
Dual-Port SRAM, 16KX9, 12ns, CMOS, PQFP80, 14 X 14 MM, 1.40 MM HEIGHT, GREEN, TQFP-80 |
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| 7016L12PFG8 | IDT |
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HIGH-SPEED 16K X 9 DUAL-PORT STATIC RAM |
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| 7016L12PFGB | IDT |
获取价格 |
HIGH-SPEED 16K X 9 DUAL-PORT STATIC RAM |
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| 7016L12PFGB8 | IDT |
获取价格 |
HIGH-SPEED 16K X 9 DUAL-PORT STATIC RAM |
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