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7007L20JG

更新时间: 2024-02-17 02:53:36
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艾迪悌 - IDT 静态存储器内存集成电路
页数 文件大小 规格书
22页 356K
描述
HIGH-SPEED 32K x 8 DUAL-PORT STATIC RAM

7007L20JG 技术参数

是否无铅: 不含铅是否Rohs认证: 符合
生命周期:Active零件包装代码:LCC
包装说明:QCCJ, PGA68,11X11针数:68
Reach Compliance Code:compliantECCN代码:3A991
HTS代码:8542.32.00.41风险等级:5.27
最长访问时间:20 nsI/O 类型:COMMON
JESD-30 代码:S-PQCC-J68JESD-609代码:e3
长度:24.2062 mm内存密度:262144 bit
内存集成电路类型:DUAL-PORT SRAM内存宽度:8
湿度敏感等级:1功能数量:1
端口数量:2端子数量:68
字数:32768 words字数代码:32000
工作模式:ASYNCHRONOUS最高工作温度:70 °C
最低工作温度:组织:32KX8
输出特性:3-STATE封装主体材料:PLASTIC/EPOXY
封装代码:QCCJ封装等效代码:PGA68,11X11
封装形状:SQUARE封装形式:CHIP CARRIER
并行/串行:PARALLEL峰值回流温度(摄氏度):260
电源:5 V认证状态:Not Qualified
座面最大高度:4.572 mm最大待机电流:0.005 A
最小待机电流:4.5 V子类别:SRAMs
最大压摆率:0.275 mA最大供电电压 (Vsup):5.5 V
最小供电电压 (Vsup):4.5 V标称供电电压 (Vsup):5 V
表面贴装:YES技术:CMOS
温度等级:COMMERCIAL端子面层:Matte Tin (Sn) - annealed
端子形式:J BEND端子节距:1.27 mm
端子位置:QUAD处于峰值回流温度下的最长时间:30
宽度:24.2062 mmBase Number Matches:1

7007L20JG 数据手册

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IDT7007S/L  
High-Speed 32K x 8 Dual-Port Static RAM  
Military, Industrial and Commercial Temperature Ranges  
Waveform of Read Cycles(5)  
tRC  
ADDR  
(4)  
t
t
AA  
(4)  
ACE  
CE  
OE  
(4)  
tAOE  
R/W  
(1)  
tOH  
tLZ  
VALID DATA(4)  
DATAOUT  
(2)  
tHZ  
BUSYOUT  
(3,4)  
2940 drw 07  
tBDD  
NOTES:  
1. Timing depends on which signal is asserted last, OE or CE.  
2. Timing depends on which signal is de-asserted first CE or OE.  
3. tBDD delay is required only in cases where the opposite port is completing a write operation to the same address location. For simultaneous read operations BUSY  
has no relation to valid output data.  
4. Start of valid data depends on which timing becomes effective last tAOE, tACE, tAA or tBDD.  
5. SEM = VIH.  
Timing of Power-Up Power-Down  
CE  
tPU  
tPD  
I
CC  
50%  
50%  
I
SB  
,
2940 drw 08  
9

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