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7005S70FGB8

更新时间： 2024-02-19 13:48:53

品牌	Logo	应用领域
艾迪悌 - IDT		静态存储器内存集成电路
页数	文件大小	规格书
21页	358K
描述
Dual-Port SRAM, 8KX8, 70ns, CMOS, PQFP68, 0.970 X 0.970 INCH, 0.080 INCH HEIGHT, GREEN, QFP-68

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7005S70FGB8 技术参数

生命周期：	Active	包装说明：	QFF,
Reach Compliance Code：	compliant	风险等级：	5.59
最长访问时间：	70 ns	JESD-30 代码：	S-PQFP-F68
JESD-609代码：	e3	长度：	24.2062 mm
内存密度：	65536 bit	内存集成电路类型：	DUAL-PORT SRAM
内存宽度：	8	功能数量：	1
端子数量：	68	字数：	8192 words
字数代码：	8000	工作模式：	ASYNCHRONOUS
最高工作温度：	125 °C	最低工作温度：	-55 °C
组织：	8KX8	封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY
封装代码：	QFF	封装形状：	SQUARE
封装形式：	FLATPACK	并行/串行：	PARALLEL
认证状态：	Not Qualified	座面最大高度：	4.572 mm
最大供电电压 (Vsup)：	5.5 V	最小供电电压 (Vsup)：	4.5 V
标称供电电压 (Vsup)：	5 V	表面贴装：	YES
技术：	CMOS	温度等级：	MILITARY
端子面层：	MATTE TIN	端子形式：	FLAT
端子节距：	0.8 mm	端子位置：	QUAD
宽度：	24.2062 mm	Base Number Matches：	1

7005S70FGB8 数据手册

IDT7005S/L

High-Speed 8K x 8 Dual-Port Static RAM

Military, Industrial and Commercial Temperature Ranges

Waveform of Read Cycles⁽⁵⁾

ADDR

(4)

ACE

(4)

tAOE

R/W

(1)

tOH

VALID DATA⁽⁴⁾

DATAOUT

(2)

BUSYOUT

(3,4)

BDD

2738 drw 07

NOTES:

1. Timing depends on which signal is asserted last, OE or CE.

2. Timing depends on which signal is de-asserted first CE or OE.

3. tBDD delay is required only in cases where the opposite port is completing a write operation to the same address location. For simultaneous read operations BUSY

has no relation to valid output data.

4. Start of valid data depends on which timing becomes effective last tAOE, tACE, tAA or tBDD.

5. SEM = VIH.

Timing of Power-Up Power-Down

tPU

tPD

ICC

ISB

2738 drw 08

6.42

1...5 6 789 10 11...21

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型号	品牌	描述	获取价格	数据表
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