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681-3N

更新时间: 2024-11-07 22:19:59
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美高森美 - MICROSEMI 整流二极管局域网
页数 文件大小 规格书
2页 136K
描述
RECTIFIERS ASSEMBLIES

681-3N 技术参数

是否Rohs认证: 不符合生命周期:Active
Reach Compliance Code:compliantECCN代码:EAR99
HTS代码:8541.10.00.80风险等级:5.56
Is Samacsys:N应用:GENERAL PURPOSE
外壳连接:ISOLATED配置:COMMON ANODE, 2 ELEMENTS
二极管元件材料:SILICON二极管类型:RECTIFIER DIODE
最大正向电压 (VF):1.2 VJESD-30 代码:R-XUFM-X3
JESD-609代码:e0最大非重复峰值正向电流:150 A
元件数量:2相数:1
端子数量:3最高工作温度:150 °C
最低工作温度:-65 °C最大输出电流:15 A
封装主体材料:UNSPECIFIED封装形状:RECTANGULAR
封装形式:FLANGE MOUNT认证状态:Not Qualified
最大重复峰值反向电压:300 V最大反向电流:10 µA
子类别:Rectifier Diodes表面贴装:NO
技术:AVALANCHE端子面层:TIN LEAD
端子形式:UNSPECIFIED端子位置:UPPER
Base Number Matches:1

681-3N 数据手册

 浏览型号681-3N的Datasheet PDF文件第2页 

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