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6229A25M/BUAJC

更新时间: 2023-03-15 00:00:00
品牌 Logo 应用领域
摩托罗拉 - MOTOROLA 静态存储器内存集成电路
页数 文件大小 规格书
6页 436K
描述
Standard SRAM, 256KX4, 25ns, CMOS

6229A25M/BUAJC 技术参数

是否Rohs认证: 不符合生命周期:Obsolete
Reach Compliance Code:unknown风险等级:5.92
最长访问时间:25 nsI/O 类型:COMMON
JESD-609代码:e0内存密度:1048576 bit
内存集成电路类型:STANDARD SRAM内存宽度:4
字数:262144 words字数代码:256000
工作模式:ASYNCHRONOUS最高工作温度:125 °C
最低工作温度:-55 °C组织:256KX4
输出特性:3-STATE封装主体材料:CERAMIC
封装代码:QCCN封装等效代码:LCC(UNSPEC)
封装形式:CHIP CARRIER并行/串行:PARALLEL
电源:5 V认证状态:Not Qualified
筛选级别:38535Q/M;38534H;883B最大待机电流:0.03 A
最小待机电流:4.5 V子类别:SRAMs
最大压摆率:0.17 mA标称供电电压 (Vsup):5 V
表面贴装:YES技术:CMOS
温度等级:MILITARY端子面层:Tin/Lead (Sn/Pb)
端子形式:NO LEAD端子位置:QUAD
Base Number Matches:1

6229A25M/BUAJC 数据手册

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