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6229A70/BYAJC

更新时间: 2024-02-18 00:14:55
品牌 Logo 应用领域
摩托罗拉 - MOTOROLA 静态存储器内存集成电路
页数 文件大小 规格书
6页 436K
描述
IC,SRAM,256KX4,CMOS,FP,28PIN,CERAMIC

6229A70/BYAJC 技术参数

是否Rohs认证: 不符合生命周期:Obsolete
Reach Compliance Code:unknown风险等级:5.92
最长访问时间:70 nsI/O 类型:COMMON
JESD-30 代码:R-XDFP-F28JESD-609代码:e0
内存密度:1048576 bit内存集成电路类型:STANDARD SRAM
内存宽度:4端子数量:28
字数:262144 words字数代码:256000
工作模式:ASYNCHRONOUS最高工作温度:125 °C
最低工作温度:-55 °C组织:256KX4
输出特性:3-STATE封装主体材料:CERAMIC
封装代码:DFP封装等效代码:FL28,.25
封装形状:RECTANGULAR封装形式:FLATPACK
并行/串行:PARALLEL电源:5 V
认证状态:Not Qualified筛选级别:38535Q/M;38534H;883B
最大待机电流:0.03 A最小待机电流:4.5 V
子类别:SRAMs最大压摆率:0.12 mA
标称供电电压 (Vsup):5 V表面贴装:YES
技术:CMOS温度等级:MILITARY
端子面层:Tin/Lead (Sn/Pb)端子形式:FLAT
端子节距:1.27 mm端子位置:DUAL

6229A70/BYAJC 数据手册

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