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6116SA120FB

更新时间: 2024-09-24 18:39:51
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艾迪悌 - IDT 静态存储器内存集成电路
页数 文件大小 规格书
11页 800K
描述
Standard SRAM, 2KX8, 120ns, CMOS, CDFP24

6116SA120FB 技术参数

是否Rohs认证: 不符合生命周期:Obsolete
Reach Compliance Code:unknown风险等级:5.92
最长访问时间:120 nsI/O 类型:COMMON
JESD-30 代码:R-XDFP-F24JESD-609代码:e0
内存密度:16384 bit内存集成电路类型:STANDARD SRAM
内存宽度:8端子数量:24
字数:2048 words字数代码:2000
工作模式:ASYNCHRONOUS最高工作温度:125 °C
最低工作温度:-55 °C组织:2KX8
输出特性:3-STATE封装主体材料:CERAMIC
封装代码:DFP封装等效代码:FL24,.4
封装形状:RECTANGULAR封装形式:FLATPACK
并行/串行:PARALLEL电源:5 V
认证状态:Not Qualified筛选级别:38535Q/M;38534H;883B
最大待机电流:0.01 A最小待机电流:4.5 V
子类别:SRAMs最大压摆率:0.1 mA
标称供电电压 (Vsup):5 V表面贴装:YES
技术:CMOS温度等级:MILITARY
端子面层:Tin/Lead (Sn/Pb)端子形式:FLAT
端子节距:1.27 mm端子位置:DUAL
Base Number Matches:1

6116SA120FB 数据手册

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