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5SGA25H2501

更新时间： 2024-01-13 03:24:58

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ABB		栅极
页数	文件大小	规格书
9页	113K
描述
Gate turn-off Thyristor

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5SGA25H2501 技术参数

生命周期：	Active	包装说明：	DISK BUTTON, O-CXDB-X4
Reach Compliance Code：	compliant	HTS代码：	8541.30.00.80
风险等级：	5.74	配置：	SINGLE
最大直流栅极触发电流：	2500 mA	JESD-30 代码：	O-CXDB-X4
通态非重复峰值电流：	16 A	元件数量：	1
端子数量：	4	最大通态电流：	830000 A
最高工作温度：	125 °C	最低工作温度：	-40 °C
封装主体材料：	CERAMIC, METAL-SEALED COFIRED	封装形状：	ROUND
封装形式：	DISK BUTTON	认证状态：	Not Qualified
最大均方根通态电流：	1300 A	断态重复峰值电压：	2500 V
重复峰值反向电压：	17 V	子类别：	Silicon Controlled Rectifiers
表面贴装：	YES	端子形式：	UNSPECIFIED
端子位置：	UNSPECIFIED	触发设备类型：	GATE TURN-OFF SCR
Base Number Matches：	1

5SGA25H2501 数据手册

V_DRM

I_TGQM

I_TSM

V_T0

2500 V

2500 A

16 kA

Gate turn-off Thyristor

5SGA 25H2501

1.66 V

r_T

0.57

V_DClin

1400 V

Doc. No. 5SYA1206-01 Dec. 04

· Patented free-floating silicon technology

· Low on-state and switching losses

· Annular gate electrode

· Industry standard housing

· Cosmic radiation withstand rating

Blocking

V_DRM

V_RRM

I_DRM

Repetitive peak off-state voltage

Repetitive peak reverse voltage

Repetitive peak off-state current

Repetitive peak reverse current

2500 V

17 V

V_GR³ 2V

30 mA

50 mA

1400 V

V_D= V_DRM

V_R= V_RRM

V_GR³ 2V

I_RRM

R_GK

V_DClinkPermanent DC voltage for 100

FIT failure rate

-40 £ T_j£ 125 °C. Ambient cosmic

radiation at sea level in open air.

Mechanical data (see Fig. 19)

F_m

min.

Mounting force

max.

Acceleration:

50 m/s²

200 m/s²

Device unclamped

Device clamped

Weight

0.8

22 mm

D_S

D_a

Surface creepage distance

Air strike distance

ABB Semiconductors AG reserves the right to change specifications without notice.

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与5SGA25H2501相关器件

型号	品牌	描述	获取价格	数据表
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5SGA30J2502	ETC	THYRISTOR\|GTO\|2.5KV V(DRM)\|TO-200AF	获取价格
5SGA30J4502	ABB	Asymmetric Gate turn-off Thyristor	获取价格
5SGA30J4505	ABB	Asymmetric Gate turn-off Thyristor	获取价格
5SGA30L2501	ETC	THYRISTOR\|GTO\|2.5KV V(DRM)\|TO-200VAR120	获取价格
5SGA30L4502	ETC	THYRISTOR\|GTO\|4.5KV V(DRM)\|TO-200VAR120	获取价格