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5SGA06D4502

更新时间： 2024-02-22 21:13:49

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ABB		栅
页数	文件大小	规格书
5页	391K
描述
Asymmetric Gate turn-off Thyristor

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5SGA06D4502 技术参数

生命周期：	Active	包装说明：	DISK BUTTON, O-CXDB-X4
Reach Compliance Code：	compliant	HTS代码：	8541.30.00.80
风险等级：	5.75	配置：	SINGLE
JESD-30 代码：	O-CXDB-X4	元件数量：	1
端子数量：	4	最高工作温度：	125 °C
最低工作温度：		封装主体材料：	CERAMIC, METAL-SEALED COFIRED
封装形状：	ROUND	封装形式：	DISK BUTTON
认证状态：	Not Qualified	最大均方根通态电流：	330 A
断态重复峰值电压：	4500 V	重复峰值反向电压：	17 V
表面贴装：	YES	端子形式：	UNSPECIFIED
端子位置：	UNSPECIFIED	触发设备类型：	GATE TURN-OFF SCR
Base Number Matches：	1

5SGA06D4502 数据手册

V_DRM

I_TGQM

I_TSM

V_T0

4500 V

600 A

Asymmetric Gate turn-off

Thyristor

3×10³A

1.9 V

5SGA 06D4502

r_T

3.5

mΩ

PRELIMINARY

V_Dclink

2800 V

Doc. No. 5SYA1236-00 Jun. 04

• Patented free-floating silicon technology

• Low on-state and switching losses

• Central gate electrode

• Industry standard housing

• Cosmic radiation withstand rating

Blocking

Maximum rated values ¹⁾

Parameter

Symbol Conditions

min

typ

max

Unit

Repetitive peak off-state

voltage

V_DRM

4500

V_GR≥ 2 V

Repetitive peak reverse

voltage

V_RRM

Permanent DC voltage for V_Dclink

100 FIT failure rate

Ambient cosmic radiation at sea level

in open air.

2800

Characteristic values

Parameter

Symbol Conditions

min

typ

max

Unit

Repetitive peak off-state

current

I_DRM

V_D= V_DRM, V_GR≥ 2 V

Repetitive peak reverse

current

I_RRM

V_R= V_RRM, R_GK= ∞ Ω

Mechanical data

Maximum rated values ¹⁾

Parameter

Symbol Conditions

min

typ

max

Unit

Mounting force

Characteristic values

Parameter

F_m

Symbol Conditions

min

typ

max

Unit

Pole-piece diameter

Housing thickness

Weight

D_p

± 0.1 mm

0.25

Surface creepage distance D_s

Air strike distance D_a

Anode to Gate

20.5

1) Maximum rated values indicate limits beyond which damage to the device may occur

ABB Switzerland Ltd, Semiconductors reserves the right to change specifications without notice.

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