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| 是否Rohs认证： | 符合 | 生命周期： | Obsolete |
| 包装说明： | , | Reach Compliance Code： | compliant |
| ECCN代码： | EAR99 | 风险等级： | 5.84 |
| 标称电路换相断开时间： | 80 µs | 最大直流栅极触发电流： | 0.2 mA |
| 最大直流栅极触发电压： | 0.8 V | JESD-609代码： | e3 |
| 最大漏电流： | 2 mA | 湿度敏感等级： | 1 |
| 通态非重复峰值电流： | 65 A | 最大通态电流： | 5000 A |
| 最高工作温度： | 125 °C | 最低工作温度： | -40 °C |
| 峰值回流温度（摄氏度）： | 225 | 断态重复峰值电压： | 600 V |
| 子类别： | Silicon Controlled Rectifiers | 表面贴装： | YES |
| 端子面层： | MATTE TIN | 处于峰值回流温度下的最长时间： | NOT SPECIFIED |
| 触发设备类型： | SCR | Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 描述 | 获取价格 | 数据表 |
| 5P6J-ZK-E2-AY | RENESAS | SILICON CONTROLLED RECTIFIER,600V V(DRM),5A I(T),TO-252 |
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| 5P6M | NEC | 2A PLASTIC MOLDED THYRISTOR |
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| 5P6M | TGS | Triacs sensitive gate |
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| 5P6SM | ETC | 5P4SM.5P4SMA.5P6SM.5P6SMA Data Sheet | Data Sheet[02/1988] |
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| 5P6SMA | NEC | P gate all Diffused mold type Thyristor granted 5 A on-state Average current, with rated V |
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| 5P83904 | RENESAS | 1.8 V to 3.3 V 1:4 Crystal Input to LVCMOS Output High-Performance Clock Fanout Buffer wit |
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