Datasheet > 5KP6.5A-1-E3

5KP6.5A-1-E3

更新时间： 2024-11-12 19:40:31

品牌	Logo	应用领域
威世 - VISHAY		局域网二极管电视
页数	文件大小	规格书
4页	54K
描述
DIODE 5000 W, UNIDIRECTIONAL, SILICON, TVS DIODE, PLASTIC, CASE P600, 2 PIN, Transient Suppressor

阅读下载

中文翻译

获取价格

技术参数
数据手册

如果您发现信息不准确，欢迎纠错

5KP6.5A-1-E3 技术参数

是否无铅：	不含铅	是否Rohs认证：	符合
生命周期：	Obsolete	包装说明：	O-PALF-W2
针数：	2	Reach Compliance Code：	unknown
ECCN代码：	EAR99	HTS代码：	8541.10.00.50
风险等级：	5.65	最大击穿电压：	7.98 V
最小击穿电压：	7.22 V	外壳连接：	ISOLATED
配置：	SINGLE	二极管元件材料：	SILICON
二极管类型：	TRANS VOLTAGE SUPPRESSOR DIODE	JESD-30 代码：	O-PALF-W2
JESD-609代码：	e3	最大非重复峰值反向功率耗散：	5000 W
元件数量：	1	端子数量：	2
最高工作温度：	175 °C	最低工作温度：	-55 °C
封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY	封装形状：	ROUND
封装形式：	LONG FORM	峰值回流温度（摄氏度）：	NOT SPECIFIED
极性：	UNIDIRECTIONAL	最大功率耗散：	8 W
认证状态：	Not Qualified	最大重复峰值反向电压：	6.5 V
表面贴装：	NO	技术：	AVALANCHE
端子面层：	MATTE TIN	端子形式：	WIRE
端子位置：	AXIAL	处于峰值回流温度下的最长时间：	NOT APPLICABLE
Base Number Matches：	1

5KP6.5A-1-E3 数据手册

5KP5.0 thru 5KP188A

Vishay Semiconductors

formerly General Semiconductor

TRANSZORB^®Transient Voltage Supressors

Stand-off Voltage 5.0 to 188V

Peak Pulse Power 5000W

Features

Case Style P600

• Plastic package has Underwriters Laboratory

Flammability Classification 94V-0

• Glass passivated junction

• 5000W peak pulse power capability with a 10/1000µs

waveform, repetition rate (duty cycle): 0.05%

1.0 (25.4)

• Excellent clamping capability

MIN.

• Low incremental surge resistance

• Very fast response time

0.360 (9.1)

0.340 (8.6)

• Devices with V_(BR)> 10V I_Dare typically less than 1.0µA

• Available in uni-directional polarity only

0.360 (9.1)

0.340 (8.6)

Mechanical Data

Case: Molded plastic body over glass passivated junction

Terminals: Solder plated axial leads, solderable per

MIL-STD-750, Method 2026

High temperature soldering guaranteed:

265°C/10 seconds, 0.375" (9.5mm) lead length,

5lbs. (2.3 kg) tension

0.052 (1.32)

1.0 (25.4)

MIN.

0.048 (1.22)

DIA.

Polarity: The color band denotes the cathode, which is

positive with respect to the anode under normal TVS

operation

Mounting Position: Any

Weight: 0.07 oz., 2.1 g

Dimensions in inches and (millimeters)

Packaging codes/options:

1/750 ea. per Bulk Box

4/800 ea. per 13" Reel (52mm Tape)

23/300 ea. per Ammo Box (52mm Tape)

Maximum Ratings and Characteristics Ratings at 25°C unless otherwise noted.

Parameter

Symbol

Value

Unit

Peak pulse power dissipation with a 10/1000µs waveform⁽¹⁾

Peak pulse current with a 10/1000µs waveform⁽¹⁾

P_PPM

5000

I_PPM

See next table

Steady state power dissipation at T_L= 75°C

lead lengths 0.375” (9.5mm)⁽²⁾

P_M(AV)

8.0

Peak forward surge current, 8.3ms single half sine-wave⁽³⁾

Instantaneous forward voltage at 100A⁽³⁾

I_FSM

V_F

600

3.5

Operating junction and storage temperature range

T_J, T_STG

–55 to +175

°C

Notes:

(1) Non-repetitive current pulse, per Fig. 3 and derated above T_A= 25°C per Fig. 2.

(2) Mounted on copper pad area of 1.6 x 1.6” (40 x 40mm) per Fig. 5.

(3) Measured on 8.3ms single half sine-wave or equivalent square wave,

duty cycle = 4 pulses per minute maximum

Document Number 88308

11-Mar-04

www.vishay.com

12 3 4

中文翻译

下载PDF

与5KP6.5A-1-E3相关器件

型号	品牌	获取价格	描述	数据表
5KP6.5A1-E3	VISHAY	获取价格	DIODE 5000 W, UNIDIRECTIONAL, SILICON, TVS DIODE, PLASTIC, CASE P600, 2 PIN, Transient Sup
5KP6.5A-2	CRYDOM	获取价格	Trans Voltage Suppressor Diode, 5000W, Unidirectional, 1 Element, Silicon
5KP6.5A-2	LITTELFUSE	获取价格	Trans Voltage Suppressor Diode, 5000W, Unidirectional, 1 Element, Silicon, PLASTIC, CASE 5
5KP6.5A-23-E3	VISHAY	获取价格	DIODE 5000 W, UNIDIRECTIONAL, SILICON, TVS DIODE, PLASTIC, CASE P600, 2 PIN, Transient Sup
5KP6.5A23-E3	VISHAY	获取价格	DIODE 5000 W, UNIDIRECTIONAL, SILICON, TVS DIODE, PLASTIC, CASE P600, 2 PIN, Transient Sup
5KP6.5A4	VISHAY	获取价格	5000W, UNIDIRECTIONAL, SILICON, TVS DIODE, PLASTIC, CASE P600, 2 PIN
5KP6.5A-4	VISHAY	获取价格	Trans Voltage Suppressor Diode, 5000W, 6.5V V(RWM), Unidirectional, 1 Element, Silicon, PL
5KP6.5A-4-E3	VISHAY	获取价格	DIODE 5000 W, UNIDIRECTIONAL, SILICON, TVS DIODE, PLASTIC, CASE P600, 2 PIN, Transient Sup
5KP6.5A-5A	MICROSEMI	获取价格	Trans Voltage Suppressor Diode, 5000W, 6.5V V(RWM), Unidirectional, 1 Element, Silicon
5KP6.5A-5R	MICROSEMI	获取价格	Trans Voltage Suppressor Diode, 5000W, 6.5V V(RWM), Unidirectional, 1 Element, Silicon

与5KP6.5A-1-E3相关文章

国产厂商思特威CMOS图像传感器芯片单月出货超1亿颗，技术创新引领行业发展
2024-11-14

23
台积电5nm和3nm产能利用率达100%，半导体行业景气度持续攀升
2024-11-14

8
AMD宣布全球裁员约1000人，调整战略聚焦增长
2024-11-14

9
英伟达新AI芯片Rubin或提前半年亮相
2024-11-05

32

产品中心

服务支持

精选活动

关于我们

帮助中心

5KP6.5A-1-E3

5KP6.5A-1-E3 技术参数

5KP6.5A-1-E3 数据手册

与5KP6.5A-1-E3相关器件

与5KP6.5A-1-E3相关文章

您还可以找

产品中心

服务支持

精选活动

关于我们

帮助中心

5KP6.5A-1-E3

5KP6.5A-1-E3 技术参数

5KP6.5A-1-E3 数据手册

与5KP6.5A-1-E3相关器件

与5KP6.5A-1-E3相关文章

您还可以找

您在本页遇到什么问题？