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5KP10C-5A

更新时间: 2024-11-13 13:36:19
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美高森美 - MICROSEMI 局域网二极管
页数 文件大小 规格书
2页 113K
描述
Trans Voltage Suppressor Diode, 5000W, 10V V(RWM), Bidirectional, 1 Element, Silicon

5KP10C-5A 技术参数

是否Rohs认证:不符合生命周期:Obsolete
包装说明:O-PALF-W2Reach Compliance Code:unknown
ECCN代码:EAR99HTS代码:8541.10.00.50
风险等级:5.15Is Samacsys:N
最大击穿电压:13.6 V最小击穿电压:11.1 V
外壳连接:ISOLATED最大钳位电压:18.8 V
配置:SINGLE二极管元件材料:SILICON
二极管类型:TRANS VOLTAGE SUPPRESSOR DIODEJESD-30 代码:O-PALF-W2
JESD-609代码:e0湿度敏感等级:1
最大非重复峰值反向功率耗散:5000 W元件数量:1
端子数量:2最高工作温度:150 °C
最低工作温度:-55 °C封装主体材料:PLASTIC/EPOXY
封装形状:ROUND封装形式:LONG FORM
峰值回流温度(摄氏度):NOT SPECIFIED极性:BIDIRECTIONAL
最大功率耗散:5 W认证状态:Not Qualified
最大重复峰值反向电压:10 V最大反向电流:15 µA
表面贴装:NO技术:AVALANCHE
端子面层:TIN LEAD端子形式:WIRE
端子位置:AXIAL处于峰值回流温度下的最长时间:NOT SPECIFIED
Base Number Matches:1

5KP10C-5A 数据手册

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