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5962R9665103VEC

更新时间： 2024-11-05 20:33:51
品牌 Logo 应用领域
瑞萨 - RENESAS /
页数 文件大小 规格书
29页 163K
描述
TRIPLE 2-CHANNEL, SGL ENDED MULTIPLEXER, CDIP16, CERAMIC, DIP-16

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5962R9665103VEC 技术参数

生命周期：Obsolete零件包装代码：DIP
包装说明：DIP, DIP16,.3针数：16
Reach Compliance Code：unknownHTS代码：8542.39.00.01
风险等级：5.03模拟集成电路 - 其他类型：SINGLE-ENDED MULTIPLEXER
JESD-30 代码：R-CDIP-T16JESD-609代码：e4
长度：19.05 mm标称负供电电压 (Vsup)：
信道数量：2功能数量：3
端子数量：16最大通态电阻 (Ron)：1300 Ω
最高工作温度：125 °C最低工作温度：-55 °C
封装主体材料：CERAMIC, METAL-SEALED COFIRED封装代码：DIP
封装等效代码：DIP16,.3封装形状：RECTANGULAR
封装形式：IN-LINE电源：5/15 V
认证状态：Not Qualified筛选级别：MIL-PRF-38535 Class V
座面最大高度：5.08 mm最大信号电流：0.01 A
子类别：Multiplexer or Switches最大供电电流 (Isup)：0.6 mA
最大供电电压 (Vsup)：18 V最小供电电压 (Vsup)：3 V
标称供电电压 (Vsup)：5 V表面贴装：NO
最长断开时间：720 ns最长接通时间：720 ns
切换：BREAK-BEFORE-MAKE技术：CMOS
温度等级：MILITARY端子面层：GOLD
端子形式：THROUGH-HOLE端子节距：2.54 mm
端子位置：DUAL总剂量：100k Rad(Si) V
宽度：7.62 mmBase Number Matches：1

5962R9665103VEC 数据手册

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REVISIONS  
LTR  
A
DESCRIPTION  
DATE (YR-MO-DA)  
97-12-17  
APPROVED  
Changes in accordance with NOR 5962-R013-98.  
Raymond Monnin  
B
Incorporate revision A. Update boilerplate to MIL-PRF-38535  
requirements. Editorial changes throughout. – LTG  
04-02-02  
Thomas M. Hess  
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OF SHEETS  
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PREPARED BY  
Rick O. Officer  
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14  
DEFENSE SUPPLY CENTER COLUMBUS  
COLUMBUS, OHIO 43216  
CHECKED BY  
Monica L. Poelking  
STANDARD  
MICROCIRCUIT  
DRAWING  
http://www.dscc.dla.mil  
APPROVED BY  
Monica L. Poelking  
THIS DRAWING IS AVAILABLE  
FOR USE BY ALL  
DEPARTMENTS  
AND AGENCIES OF THE  
DEPARTMENT OF DEFENSE  
MICROCIRCUIT, DIGITAL, RADIATION  
HARDENED CMOS, ANALOG MULTIPLEXER/  
DEMULTIPLEXER, MONOLITHIC SILICON  
DRAWING APPROVAL DATE  
95-12-27  
AMSC N/A  
REVISION LEVEL  
SIZE  
CAGE CODE  
5962-96651  
67268  
B
A
SHEET  
1
OF  
27  
DSCC FORM 2233  
APR 97  
5962-E131-04  
DISTRIBUTION STATEMENT A. Approved for public release; distribution is unlimited.  
1234567...29

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型号 品牌 获取价格 描述 数据表
5962R9665103VXC ETC

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 		2-Channel Analog Multiplexer
5962R9665103VXX WEDC

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