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5962R0520801VYC

更新时间： 2024-11-20 20:30:19

品牌	Logo	应用领域
美国微芯 - MICROCHIP		静态存储器内存集成电路
页数	文件大小	规格书
14页	351K
描述
Standard SRAM, 512KX8, 17ns, CMOS, 0.500 INCH, DFP-36

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5962R0520801VYC 技术参数

生命周期：	Active	包装说明：	DFP, FL36,.5
Reach Compliance Code：	compliant	ECCN代码：	3A001.A.2.C
HTS代码：	8542.32.00.41	风险等级：	5.49
最长访问时间：	17 ns	I/O 类型：	COMMON
JESD-30 代码：	R-XDFP-F36	JESD-609代码：	e4
内存密度：	4194304 bit	内存集成电路类型：	STANDARD SRAM
内存宽度：	8	功能数量：	1
端子数量：	36	字数：	524288 words
字数代码：	512000	工作模式：	ASYNCHRONOUS
最高工作温度：	125 °C	最低工作温度：	-55 °C
组织：	512KX8	输出特性：	3-STATE
封装主体材料：	UNSPECIFIED	封装代码：	DFP
封装等效代码：	FL36,.5	封装形状：	RECTANGULAR
封装形式：	FLATPACK	并行/串行：	PARALLEL
电源：	3.3 V	认证状态：	Qualified
筛选级别：	MIL-PRF-38535 Class V	座面最大高度：	3.05 mm
最大待机电流：	0.0015 A	最小待机电流：	2 V
子类别：	SRAMs	最大压摆率：	0.18 mA
最大供电电压 (Vsup)：	3.6 V	最小供电电压 (Vsup)：	3 V
标称供电电压 (Vsup)：	3.3 V	表面贴装：	YES
技术：	CMOS	温度等级：	MILITARY
端子面层：	GOLD	端子形式：	FLAT
端子节距：	1.27 mm	端子位置：	DUAL
总剂量：	300k Rad(Si) V	宽度：	12.195 mm
Base Number Matches：	1

5962R0520801VYC 数据手册

Features

• Operating Voltage: 3.3V, 5V tolerant

• Access Time:

– 17 ns

– 15 ns

• Very Low Power Consumption

– Active: 610 mW (Max) @ 17 ns⁽¹⁾, 540 mW (Max) @ 25 ns

– Standby: 3.3 mW (Typ)

• Wide Temperature Range: -55 to +125°C

• TTL-Compatible Inputs and Outputs

• Asynchronous

• Designed on 0.25 µm Radiation Hardened Process

• No Single Event Latch Up below LET Threshold of 80 MeV/mg/cm²@125°C

• Tested up to a Total Dose of 300 krads (Si) according to MIL-STD-883 Method 1019

• 500 Mils Wide FP36 Package

Rad Hard

512K x 8

5V Tolerant

Very Low Power

CMOS SRAM

• ESD Better than 2000V

• Quality Grades: ESCC with 9301/052, QML-Q or V with smd 5962-05208

Note:

1. 650 mW (Max) @ 15 ns

Description

The AT60142FT is a very low power CMOS static RAM organized as 512K x 8 bits.

Atmel brings the solution to applications where fast computing is as mandatory as low

consumption, such as aerospace electronics, portable instruments, or embarked

systems.

AT60142FT

Utilizing an array of six transistors (6T) memory cells, the AT60142FT combines an

extremely low standby supply current (Typical value = 1 mA) with a fast access time at

15 ns over the full military temperature range. The high stability of the 6T cell provides

excellent protection against soft errors due to noise.

The AT60142FT is processed according to the methods of the latest revision of the

MIL PRF 38535 or ESCC 9000.

It is produced on a radiation hardened 0.25 µm CMOS process.

7726C–AERO–05/10

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5962R0520802VYX	ATMEL	获取价格	Standard SRAM, 512KX8, 15ns, CMOS, 0.500 INCH, DFP-36
5962R0622901VXC	ATMEL	获取价格	Rad Hard 16 MegaBit 3.3V 5V Tolerant SRAM Multi-Chip Module
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5962R0622905VYC	ACTEL	获取价格	Standard SRAM, 512KX32, 20ns, CMOS, QFP-68
5962R0626201VXC	TI	获取价格	耐辐射加固保障 (RHA)、QMLV、300krad、陶瓷、14 位、单通道、155MSP

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