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5962R0520802VYC

更新时间： 2024-11-20 06:30:27

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爱特美尔 - ATMEL		存储内存集成电路静态存储器异步传输模式 ATM
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13页	347K
描述
Rad Hard 512K x 8 Very Low Power CMOS SRAM

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5962R0520802VYC 技术参数

生命周期：	Transferred	零件包装代码：	DFP
包装说明：	DFP, FL36,.5	针数：	36
Reach Compliance Code：	compliant	ECCN代码：	3A001.A.2.C
HTS代码：	8542.32.00.41	风险等级：	5.49
Is Samacsys：	N	最长访问时间：	15 ns
I/O 类型：	COMMON	JESD-30 代码：	R-XDFP-F36
JESD-609代码：	e4	内存密度：	4194304 bit
内存集成电路类型：	STANDARD SRAM	内存宽度：	8
功能数量：	1	端子数量：	36
字数：	524288 words	字数代码：	512000
工作模式：	ASYNCHRONOUS	最高工作温度：	125 °C
最低工作温度：	-55 °C	组织：	512KX8
输出特性：	3-STATE	封装主体材料：	UNSPECIFIED
封装代码：	DFP	封装等效代码：	FL36,.5
封装形状：	RECTANGULAR	封装形式：	FLATPACK
并行/串行：	PARALLEL	电源：	3.3 V
认证状态：	Qualified	筛选级别：	MIL-PRF-38535 Class V
座面最大高度：	3.05 mm	最大待机电流：	0.0015 A
最小待机电流：	2 V	子类别：	SRAMs
最大压摆率：	0.18 mA	最大供电电压 (Vsup)：	3.6 V
最小供电电压 (Vsup)：	3 V	标称供电电压 (Vsup)：	3.3 V
表面贴装：	YES	技术：	CMOS
温度等级：	MILITARY	端子面层：	GOLD
端子形式：	FLAT	端子节距：	1.27 mm
端子位置：	DUAL	总剂量：	100k Rad(Si) V
宽度：	12.195 mm	Base Number Matches：	1

5962R0520802VYC 数据手册

Features

• Operating Voltage: 3.3V

• Access Time:

– 15 ns (AT60142F)

• Very Low Power Consumption

– Active: 650 mW (Max) @ 15 ns, 540 mW (Max) @ 25 ns

– Standby: 3.3 mW (Typ)

• Wide Temperature Range: -55 to +125°C

• TTL-Compatible Inputs and Outputs

• Asynchronous

• Designed on 0.25 µm Radiation Hardened Process

• No Single Event Latch Up below LET Threshold of 80 MeV/mg/cm²

• Tested up to a Total Dose of 300 krads (Si) according to MIL-STD-883 Method 1019

• 500 Mils Wide FP36 Package

Rad Hard

512K x 8

• ESD Better than 4000V

Very Low Power

CMOS SRAM

• Quality Grades: ESCC with 9301/052, QML-Q or V with smd 5962-05208

Description

The AT60142F is a very low power CMOS static RAM organized as 524 288 x 8 bits.

Atmel brings the solution to applications where fast computing is as mandatory as low

consumption, such as aerospace electronics, portable instruments, or embarked

systems.

AT60142F

Utilizing an array of six transistors (6T) memory cells, the AT60142F combines an

extremely low standby supply current (Typical value = 1 mA) with a fast access time at

15 ns or better over the full military temperature range. The high stability of the 6T cell

provides excellent protection against soft errors due to noise.

The AT60142F is processed according to the methods of the latest revision of the MIL

PRF 38535 or ESCC 9000.

It is produced on a radiation hardened 0.25 µm CMOS process.

Rev. 4408G–AERO–04/09

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型号	品牌	获取价格	描述	数据表
5962R0520802VYX	ATMEL	获取价格	Standard SRAM, 512KX8, 15ns, CMOS, 0.500 INCH, DFP-36
5962R0622901VXC	ATMEL	获取价格	Rad Hard 16 MegaBit 3.3V 5V Tolerant SRAM Multi-Chip Module
5962R0622902VXC	ATMEL	获取价格	Rad Hard 16 MegaBit 3.3V SRAM MultiChip Module
5962R0622903VYC	ATMEL	获取价格	Rad Hard 16 MegaBit 3.3V 5V Tolerant SRAM Multi- Chip Module
5962R0622903VYX	MICROCHIP	获取价格	Standard SRAM, 512KX32, 25ns, CMOS, CQFP68
5962R0622904VYC	MICROCHIP	获取价格	Standard SRAM, 512KX32, 20ns, CMOS, CQFP68, 0.950 INCH, NCTB, CERAMIC, MQFP-68
5962R0622905VYC	ACTEL	获取价格	Standard SRAM, 512KX32, 20ns, CMOS, QFP-68
5962R0626201VXC	TI	获取价格	耐辐射加固保障 (RHA)、QMLV、300krad、陶瓷、14 位、单通道、155MSP
5962R0720802VXC	TI	获取价格	耐辐射加固保障 (RHA)、QMLV、100krad、陶瓷、12 位、单通道 500MSP
5962R0722601VZA	TI	获取价格	12-Bit Micro Power Digital-to-Analog Converter with Railto-

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