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5962F9862201VXC

更新时间： 2024-02-07 13:39:12
品牌 Logo 应用领域
英特矽尔 - INTERSIL 逻辑集成电路栅
页数 文件大小 规格书
2页 53K
描述
Radiation Hardened Triple 3-Input AND Gate

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5962F9862201VXC 技术参数

是否Rohs认证： 不符合生命周期：Obsolete
零件包装代码：DFP包装说明：DFP, FL14,.3
针数：14Reach Compliance Code：not_compliant
HTS代码：8542.39.00.01风险等级：5.72
Is Samacsys：N系列：AC
JESD-30 代码：R-CDFP-F14JESD-609代码：e0
负载电容（CL）：50 pF逻辑集成电路类型：AND GATE
最大I（ol）：0.012 A功能数量：3
输入次数：3端子数量：14
最高工作温度：125 °C最低工作温度：-55 °C
封装主体材料：CERAMIC, METAL-SEALED COFIRED封装代码：DFP
封装等效代码：FL14,.3封装形状：RECTANGULAR
封装形式：FLATPACK电源：5 V
Prop。Delay @ Nom-Sup：12 ns传播延迟（tpd）：12 ns
认证状态：Not Qualified施密特触发器：NO
筛选级别：MIL-PRF-38535 Class V座面最大高度：2.92 mm
子类别：Gates标称供电电压 (Vsup)：5 V
表面贴装：YES技术：CMOS
温度等级：MILITARY端子面层：Tin/Lead (Sn/Pb)
端子形式：FLAT端子节距：1.27 mm
端子位置：DUAL总剂量：300k Rad(Si) V
宽度：6.285 mmBase Number Matches：1

5962F9862201VXC 数据手册

 浏览型号5962F9862201VXC的Datasheet PDF文件第2页 
ACS11MS  
Data Sheet  
November 1998  
File Number 4543  
Radiation Hardened Triple 3-Input AND  
Gate  
Features  
• QML Qualified Per MIL-PRF-38535 Requirements  
• 1.25 Micron Radiation Hardened SOS CMOS  
The Radiation Hardened ACS11MS is a Triple 3-Input AND  
Gate. When all three inputs to one of the gates are at a  
HIGH level, the corresponding Y output will be HIGH. A LOW  
level on any input will cause the output for that gate to be  
LOW. All inputs are buffered and the outputs are designed  
for balanced propagation delay and transition times.  
• Radiation Environment  
- Latch-Up Free Under any Conditions  
5
- Total Dose. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 3 x 10 RAD (Si)  
-10  
- SEU Immunity. . . . . . . . . . . . . <1 x 10  
Errors/Bit/Day  
2
- SEU LET Threshold . . . . . . . . . . . . >100MeV/(mg/cm )  
The ACS11MS is fabricated on a CMOS Silicon on Sapphire  
(SOS) process, which provides an immunity to Single Event  
Latch-up and the capability of highly reliable performance in  
any radiation environment. These devices offer significant  
power reduction and faster performance when compared to  
ALSTTL types.  
• Input Logic Levels . . . . V = (0.3)(V ), V = (0.7)(V  
)
IL CC IH CC  
• Output Current . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . ±8mA (Min)  
• Quiescent Supply Current . . . . . . . . . . . . . . 100µA (Max)  
• Propagation Delay . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .12ns (Max)  
Specifications for Rad Hard QML devices are controlled  
by the Defense Supply Center in Columbus (DSCC). The  
SMD numbers listed below must be used when ordering.  
Applications  
• High Speed Control Circuits  
• Sensor Monitoring  
Detailed Electrical Specifications for the ACS11MS are  
contained in SMD 5962-98622. A “hot-link” is provided  
on our homepage with instructions for downloading.  
www.intersil.com/spacedefense/newsafclasst.asp  
• Low Power Designs  
Ordering Information  
o
ORDERING NUMBER  
INTERNAL MKT. NUMBER  
ACS11DMSR-03  
TEMP. RANGE ( C)  
PACKAGE  
14 Ld SBDIP  
DESIGNATOR  
CDIP2-T14  
CDIP2-T14  
CDFP4-F14  
CDFP4-F14  
N/A  
5962F9862201VCC  
-55 to 125  
ACS11D/SAMPLE-03  
5962F9862201VXC  
ACS11K/SAMPLE-03  
5962F9862201V9A  
ACS11D/SAMPLE-03  
ACS11KMSR-03  
25  
-55 to 125  
25  
14 Ld SBDIP  
14 Ld Flatpack  
14 Ld Flatpack  
Die  
ACS11K/SAMPLE-03  
ACS11HMSR-03  
25  
Pinouts  
ACS11MS  
ACS11MS  
(SBDIP)  
(FLATPACK)  
TOP VIEW  
TOP VIEW  
A1  
B1  
1
2
3
4
5
6
7
14  
V
CC  
A1  
1
2
3
4
5
6
7
14 V  
CC  
13  
12  
11  
10  
9
C1  
Y1  
C3  
B3  
A3  
Y3  
B1  
A2  
13 C1  
12 Y1  
11 C3  
10 B3  
A2  
B2  
B2  
C2  
Y2  
C2  
GND  
8
Y2  
9
8
A3  
Y3  
GND  
CAUTION: These devices are sensitive to electrostatic discharge; follow proper IC Handling Procedures.  
1-888-INTERSIL or 321-724-7143 | Copyright © Intersil Corporation 1999  
1
12

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型号 品牌 获取价格 描述 数据表
5962F9862201VXX WEDC

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