生命周期: | Transferred | 零件包装代码: | DIP |
包装说明: | DIP, | 针数: | 28 |
Reach Compliance Code: | unknown | ECCN代码: | EAR99 |
HTS代码: | 8542.32.00.71 | 风险等级: | 5.17 |
Is Samacsys: | N | 最长访问时间: | 30 ns |
周期时间: | 40 ns | JESD-30 代码: | R-CDIP-T28 |
长度: | 27.94 mm | 内存密度: | 36864 bit |
内存宽度: | 9 | 功能数量: | 1 |
端子数量: | 28 | 字数: | 4096 words |
字数代码: | 4000 | 工作模式: | ASYNCHRONOUS |
最高工作温度: | 125 °C | 最低工作温度: | -55 °C |
组织: | 4KX9 | 可输出: | NO |
封装主体材料: | CERAMIC, METAL-SEALED COFIRED | 封装代码: | DIP |
封装形状: | RECTANGULAR | 封装形式: | IN-LINE |
并行/串行: | PARALLEL | 认证状态: | Qualified |
筛选级别: | MIL-PRF-38535 Class V | 座面最大高度: | 3.94 mm |
最大供电电压 (Vsup): | 5.5 V | 最小供电电压 (Vsup): | 4.5 V |
标称供电电压 (Vsup): | 5 V | 表面贴装: | NO |
技术: | CMOS | 温度等级: | MILITARY |
端子形式: | THROUGH-HOLE | 端子节距: | 2.54 mm |
端子位置: | DUAL | 总剂量: | 10k Rad(Si) V |
宽度: | 7.62 mm | Base Number Matches: | 1 |
型号 | 品牌 | 描述 | 获取价格 | 数据表 |
5962D8956809VTC | MICROCHIP | FIFO, 4KX9, 30ns, Asynchronous, CMOS, CDIP28 |
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5962D8956809VTC | ATMEL | Rad. Tolerant High Speed 4 Kb x 9 Parallel FIFO |
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5962D8956809VTX | ATMEL | FIFO, 4KX9, 30ns, Asynchronous, CMOS, CDIP28, 0.300 INCH, SIDE BRAZED, CERAMIC, DIP-28 |
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5962D8956810VNC | ATMEL | Rad. Tolerant High Speed 4 Kb x 9 Parallel FIFO |
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5962D8956810VNC | MICROCHIP | FIFO, 4KX9, 15ns, Asynchronous, CMOS |
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5962D8956810VTC | ATMEL | Rad. Tolerant High Speed 4 Kb x 9 Parallel FIFO |
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