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5962D8956809VNC

更新时间: 2024-01-24 02:31:55
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爱特美尔 - ATMEL 存储先进先出芯片
页数 文件大小 规格书
20页 1848K
描述
Rad. Tolerant High Speed 4 Kb x 9 Parallel FIFO

5962D8956809VNC 技术参数

生命周期:Transferred零件包装代码:DIP
包装说明:DIP,针数:28
Reach Compliance Code:unknownECCN代码:EAR99
HTS代码:8542.32.00.71风险等级:5.17
Is Samacsys:N最长访问时间:30 ns
周期时间:40 nsJESD-30 代码:R-CDIP-T28
长度:27.94 mm内存密度:36864 bit
内存宽度:9功能数量:1
端子数量:28字数:4096 words
字数代码:4000工作模式:ASYNCHRONOUS
最高工作温度:125 °C最低工作温度:-55 °C
组织:4KX9可输出:NO
封装主体材料:CERAMIC, METAL-SEALED COFIRED封装代码:DIP
封装形状:RECTANGULAR封装形式:IN-LINE
并行/串行:PARALLEL认证状态:Qualified
筛选级别:MIL-PRF-38535 Class V座面最大高度:3.94 mm
最大供电电压 (Vsup):5.5 V最小供电电压 (Vsup):4.5 V
标称供电电压 (Vsup):5 V表面贴装:NO
技术:CMOS温度等级:MILITARY
端子形式:THROUGH-HOLE端子节距:2.54 mm
端子位置:DUAL总剂量:10k Rad(Si) V
宽度:7.62 mmBase Number Matches:1

5962D8956809VNC 数据手册

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Block Diagram  
Pin Configuration  
DIL ceramic 28-pin 300 mils  
FP 28-pin 400 mils  
2
M67204H  
4141J–AERO–04/07  

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