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5962-9669104HXX

更新时间： 2024-01-12 13:16:39

品牌	Logo	应用领域
WEDC		静态存储器
页数	文件大小	规格书
8页	107K
描述
Standard SRAM, 128KX8, 70ns, CMOS, CDFP36, CERAMIC, FP-36

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5962-9669104HXX 技术参数

是否Rohs认证：	不符合	生命周期：	Obsolete
包装说明：	CERAMIC, FP-32	Reach Compliance Code：	unknown
风险等级：	5.64	最长访问时间：	100 ns
其他特性：	2V DATA RETENTION DEVICE AVAILABLE (LOW POWER VERSION)	JESD-30 代码：	R-CDFP-F32
长度：	20.83 mm	内存密度：	1048576 bit
内存集成电路类型：	STANDARD SRAM	内存宽度：	8
功能数量：	1	端子数量：	32
字数：	131072 words	字数代码：	128000
工作模式：	ASYNCHRONOUS	最高工作温度：	125 °C
最低工作温度：	-55 °C	组织：	128KX8
封装主体材料：	CERAMIC, METAL-SEALED COFIRED	封装代码：	DFP
封装形状：	RECTANGULAR	封装形式：	FLATPACK
并行/串行：	PARALLEL	峰值回流温度（摄氏度）：	NOT SPECIFIED
认证状态：	Not Qualified	座面最大高度：	3.18 mm
最大供电电压 (Vsup)：	5.5 V	最小供电电压 (Vsup)：	4.5 V
标称供电电压 (Vsup)：	5 V	表面贴装：	YES
技术：	CMOS	温度等级：	MILITARY
端子形式：	FLAT	端子节距：	1.27 mm
端子位置：	DUAL	处于峰值回流温度下的最长时间：	NOT SPECIFIED
宽度：	10.41 mm	Base Number Matches：	1

5962-9669104HXX 数据手册

WMS128K8-XXX

DATA RETENTION CHARACTERISTICS

(TA = -55°C to +125°C)

LOW POWER VERSION ONLY

Parameter

Symbol

Conditions

Units

Max

Min

DataRetentionSupplyVoltage

DataRetentionCurrent

V^DR

CS ≥ V CC -0.2V

2.0

5.5

400

I^CCDR3

VCC = 2V

ORDERING INFORMATION

W M S 128K 8 X - XXX X X X X

LEAD FINISH:

Blank = Gold plated leads

A = Solder dip leads

SPECIAL PROCESSING:

E = Epitaxial Layer

DEVICE GRADE:

M= Military Screened

I = Industrial

-55°C to +125°C

-40°C to +85°C

0°C to +70°C

C = Commercial

PACKAGE:

C = 32 Pin Ceramic .600" DIP (Package 300)

DE = 32 Lead Ceramic SOJ (Package 101) Evolutionary

DR = 32 Lead Ceramic SOJ (Package 101) Revolutionary

FE = 32 Lead Ceramic Flat Pack (Package 206)

ACCESS TIME (ns)

IMPROVEMENT MARK

C = Dual Chip Select Device

L = Low Power for 2V Data Retention

ORGANIZATION, 128K x 8

SRAM

MONOLITHIC

WHITE MICROELECTRONICS

White Electronic Designs Corporation • (602) 437-1520 • www.whiteedc.com

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