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| 生命周期： | Active | 零件包装代码： | DIP |
| 包装说明： | DIP, | 针数： | 32 |
| Reach Compliance Code： | unknown | ECCN代码： | 3A001.A.2.C |
| HTS代码： | 8542.32.00.41 | 风险等级： | 5.53 |
| Is Samacsys： | N | 最长访问时间： | 70 ns |
| JESD-30 代码： | R-XDIP-T32 | JESD-609代码： | e4 |
| 长度： | 41.91 mm | 内存密度： | 1048576 bit |
| 内存集成电路类型： | STANDARD SRAM | 内存宽度： | 8 |
| 功能数量： | 1 | 端子数量： | 32 |
| 字数： | 131072 words | 字数代码： | 128000 |
| 工作模式： | ASYNCHRONOUS | 最高工作温度： | 125 °C |
| 最低工作温度： | -55 °C | 组织： | 128KX8 |
| 封装主体材料： | UNSPECIFIED | 封装代码： | DIP |
| 封装形状： | RECTANGULAR | 封装形式： | IN-LINE |
| 并行/串行： | PARALLEL | 认证状态： | Qualified |
| 筛选级别： | MIL-STD-883 | 座面最大高度： | 5.1 mm |
| 最大供电电压 (Vsup)： | 5.5 V | 最小供电电压 (Vsup)： | 4.5 V |
| 标称供电电压 (Vsup)： | 5 V | 表面贴装： | NO |
| 技术： | CMOS | 温度等级： | MILITARY |
| 端子面层： | GOLD | 端子形式： | THROUGH-HOLE |
| 端子节距： | 2.54 mm | 端子位置： | DUAL |
| 宽度： | 15.24 mm | Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 描述 | 获取价格 | 数据表 |
| 5962-9669104HYC | ETC | x8 SRAM |
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| 5962-9669104HYX | WEDC | Standard SRAM, 128KX8, 70ns, CMOS, CDIP32, SIDE BRAZED, CERAMIC, DIP-32 |
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| 5962-9669105HTA | ETC | x8 SRAM |
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| 5962-9669105HTC | ETC | x8 SRAM |
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| 5962-9669105HTX | MICROSEMI | Standard SRAM, 128KX8, 55ns, CMOS, CDSO32, CERAMIC, SOJ-32 |
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| 5962-9669105HUA | ETC | x8 SRAM |
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