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5962-9669104HXX

更新时间: 2024-01-30 04:02:23
品牌 Logo 应用领域
WEDC 静态存储器
页数 文件大小 规格书
8页 107K
描述
Standard SRAM, 128KX8, 70ns, CMOS, CDFP36, CERAMIC, FP-36

5962-9669104HXX 技术参数

是否Rohs认证: 不符合生命周期:Obsolete
包装说明:CERAMIC, FP-32Reach Compliance Code:unknown
风险等级:5.64最长访问时间:100 ns
其他特性:2V DATA RETENTION DEVICE AVAILABLE (LOW POWER VERSION)JESD-30 代码:R-CDFP-F32
长度:20.83 mm内存密度:1048576 bit
内存集成电路类型:STANDARD SRAM内存宽度:8
功能数量:1端子数量:32
字数:131072 words字数代码:128000
工作模式:ASYNCHRONOUS最高工作温度:125 °C
最低工作温度:-55 °C组织:128KX8
封装主体材料:CERAMIC, METAL-SEALED COFIRED封装代码:DFP
封装形状:RECTANGULAR封装形式:FLATPACK
并行/串行:PARALLEL峰值回流温度(摄氏度):NOT SPECIFIED
认证状态:Not Qualified座面最大高度:3.18 mm
最大供电电压 (Vsup):5.5 V最小供电电压 (Vsup):4.5 V
标称供电电压 (Vsup):5 V表面贴装:YES
技术:CMOS温度等级:MILITARY
端子形式:FLAT端子节距:1.27 mm
端子位置:DUAL处于峰值回流温度下的最长时间:NOT SPECIFIED
宽度:10.41 mmBase Number Matches:1

5962-9669104HXX 数据手册

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WMS128K8-XXX  
TRUTH TABLE  
ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS  
Parameter  
Symbol  
TA  
Min  
-55  
-65  
-0.5  
Max  
+125  
+150  
Vcc+0.5  
150  
Unit  
°C  
°C  
V
CS  
H
L
OE  
X
L
WE  
X
Mode  
Standby  
Read  
DataI/O  
High Z  
Data Out  
High Z  
Data In  
Power  
Standby  
Active  
OperatingT emperatur e  
StorageT emperatur e  
SignalV oltageRelativetoGND  
JunctionT emperatur e  
SupplyV oltage  
H
TSTG  
VG  
L
H
X
H
Out Disable  
Write  
Active  
L
L
Active  
TJ  
°C  
V
VCC  
-0.5  
7.0  
RECOMMENDED OPERATING CONDITIONS  
Parameter  
Symbol  
VCC  
Min  
4.5  
Max  
5.5  
Unit  
V
SupplyV oltage  
InputHighV oltage  
InputLowV oltage  
VIH  
2.2  
-0.5  
VCC +0.3  
+0.8  
V
VIL  
V
CAPACITANCE  
(TA = +25°C)  
Parameter  
Symbol  
Condition  
Package  
Speed (ns)  
Max  
Unit  
Inputcapacitance  
CIN  
VIN =0V,f=1.0MHz  
32PinCSOJ, DIP,  
70 to 120  
1 2  
pF  
FlatPackEvolutionary  
32PinCSOJ Revolutionary  
70 to 120  
70 to 120  
20  
pF  
pF  
Outputcapicitance  
COUT  
VOUT =0V,f=1.0MHz  
32PinCSOJ, DIP,  
1 2  
FlatPackEvolutionary  
32PinCSOJ Revolutionary  
70 to 120  
20  
pF  
Thisparameterisguaranteedbydesignbutnottested.  
DC CHARACTERISTICS  
(VCC = 5.0V, GND = 0V, TA = -55°C to +125°C)  
Parameter  
Sym  
Conditions  
-70  
-85  
-100  
-120  
Units  
Min  
Max  
Min  
Max  
Min  
Max  
Min  
Max  
InputLeakageCurrent  
OutputLeakageCurrent  
OperatingSupplyCurrent  
StandbyCurrent  
ILI  
ILO  
VCC =5.5,V IN =GNDtoV CC  
10  
10  
10  
10  
µA  
µA  
mA  
mA  
V
CS=V IH,OE=V IH,VOUT =GNDtoV CC  
CS =V IL, OE=V IH, f=5MHz, Vcc =5.5  
CS=V IH, OE=V IH, f=5MHz, Vcc=5.5  
IOL =2.1mA, Vcc =4.5  
10  
30  
10  
30  
10  
30  
10  
30  
ICC  
ISB  
VOL  
VOH  
1.0  
0.4  
1.0  
0.4  
0.6  
0.4  
0.6  
0.4  
OutputLowVoltage  
OutputHighVoltage  
IOH = -1.0mA, Vcc = 4.5  
2.4  
2.4  
2.4  
2.4  
V
NOTE:DCtestconditions:V IH =V CC -0.3V,V IL=0.3V  
DATA RETENTION CHARACTERISTICS  
(TA = -55°C to +125°C)  
Parameter  
Symbol  
Conditions  
-70  
-85  
-100  
-120  
Units  
Min  
Typ  
Max  
5.5  
400  
Min  
Typ  
Max  
5.5  
400  
Min  
Typ  
Max  
5.5  
400  
Min  
Typ  
Max  
DataRetention  
SupplyVoltage  
VDR  
CS V CC -0.2V  
2.0  
2.0  
2.0  
2.0  
5.5  
400  
V
DataRetention  
Current  
ICCDR1  
VCC = 3 V  
20  
20  
20  
20  
µA  
White Electronic Designs Corporation • (602) 437-1520 • www.whiteedc.com  
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