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5962-9458505H6X

更新时间： 2024-11-26 09:08:07

品牌	Logo	应用领域
美高森美 - MICROSEMI		可编程只读存储器电动程控只读存储器电可擦编程只读存储器内存集成电路
页数	文件大小	规格书
16页	1420K
描述
EEPROM Module, 128KX32, 125ns, Parallel, CMOS, CPGA66, 1.075 X 1.075 INCH, HERMETIC SEALED, CERAMIC, HIP-66

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5962-9458505H6X 技术参数

是否无铅：	含铅	是否Rohs认证：	不符合
生命周期：	Transferred	包装说明：	PGA,
Reach Compliance Code：	compliant	ECCN代码：	3A001.A.2.C
HTS代码：	8542.32.00.51	风险等级：	5.55
Is Samacsys：	N	最长访问时间：	125 ns
其他特性：	USER CONFIGURABLE AS 512K X 8	备用内存宽度：	16
JESD-30 代码：	S-CPGA-P66	JESD-609代码：	e4
长度：	27.3 mm	内存密度：	4194304 bit
内存集成电路类型：	EEPROM MODULE	内存宽度：	32
功能数量：	1	端子数量：	66
字数：	131072 words	字数代码：	128000
工作模式：	ASYNCHRONOUS	最高工作温度：	125 °C
最低工作温度：	-55 °C	组织：	128KX32
封装主体材料：	CERAMIC, METAL-SEALED COFIRED	封装代码：	PGA
封装形状：	SQUARE	封装形式：	GRID ARRAY
并行/串行：	PARALLEL	峰值回流温度（摄氏度）：	NOT SPECIFIED
编程电压：	5 V	认证状态：	Not Qualified
筛选级别：	MIL-STD-883	座面最大高度：	4.6 mm
最大供电电压 (Vsup)：	5.5 V	最小供电电压 (Vsup)：	4.5 V
标称供电电压 (Vsup)：	5 V	表面贴装：	NO
技术：	CMOS	温度等级：	MILITARY
端子面层：	GOLD	端子形式：	PIN/PEG
端子节距：	2.54 mm	端子位置：	PERPENDICULAR
处于峰值回流温度下的最长时间：	NOT SPECIFIED	宽度：	27.3 mm
最长写入周期时间 (tWC)：	10 ms	Base Number Matches：	1

5962-9458505H6X 数据手册

WE128K32-XXX

128Kx32 EEPROM MODULE, SMD 5962-94585

FEATURES

 Access Times of 125, 140, 150, 200, 250, 300ns

 Data Polling for End of Write Detection

 Packaging:

 Hardware and Software Data Protection

 TTL Compatible Inputs and Outputs

 5 Volt Power Supply

• 66-pin, PGA Type, 27.3mm (1.075") square, Hermetic

Ceramic HIP (Package 400)

• 68 lead, 22.4mm sq. CQFP (G2T), 4.57mm (0.180") high,

(Package 509)

 Built-in Decoupling Caps and Multiple Ground Pins for Low

Noise Operation

 Organized as 128Kx32; User Conﬁgurable as 256Kx16 or

512Kx8

 Weight

 Write Endurance 10,000 Cycles

WE128K32-XG2TX – 8 grams typical

WE128K32-XH1X – 13 grams typical

 Data Retention Ten Years Minimum (at +25°C)

 Commercial, Industrial and Military Temperature Ranges

 Low Power CMOS

*This product is subject to change without notice.

 Automatic Page Write Operation

 Page Write Cycle Time: 10ms Max

FIGURE 1 – PIN CONFIGURATION FOR WE128K32N-XH1X

TOP VIEW

PIN DESCRIPTION

I/O0-31

A0-16

WE1-4#

CS1-4#

OE#

Data Input/Output

Address Inputs

Write Enable

Chip Selects

Output Enable

Power Supply

Ground

I/O8

I/O9

I/O10

A13

WE2#

CS²#

GND

I/O11

A10

I/O15

I/O24

I/O25

I/O26

VCC

CS4#

WE⁴#

I/O²⁷

I/O31

I/O30

I/O29

I/O28

I/O14

I/O13

I/O12

OE#

V_CC

GND

Not Connected

A14

A15

A11

BLOCK DIAGRAM

A16

A12

WE1#

I/O⁷

WE₁# CS₁#

128K x 8

WE₂# CS₂#

WE₃# CS₃#

WE₄# CS₄#

128K x 8

VCC

WE3#

CS³#

GND

I/O19

I/O23

I/O22

I/O21

I/O20

OE#

A0-16

I/O0

I/O1

I/O2

CS1#

I/O6

I/O16

I/O17

I/O18

128K x 8

I/O5

I/O3

I/O4

I/O16-23

I/O24-31

I/O8-15

I/O0-7

Microsemi Corporation reserves the right to change products or speciﬁcations without notice.

Rev. 16

Microsemi Corporation • (602) 437-1520 • www.microsemi.com/pmgp

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