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5962-9454901MYA

更新时间： 2024-09-17 14:50:55

品牌	Logo	应用领域
德州仪器 - TI		动态存储器内存集成电路
页数	文件大小	规格书
61页	1935K
描述
IC 256K X 16 VIDEO DRAM, 80 ns, DFP64, Dynamic RAM

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5962-9454901MYA 技术参数

生命周期：	Obsolete	包装说明：	DFP,
Reach Compliance Code：	unknown	ECCN代码：	EAR99
HTS代码：	8542.32.00.02	风险等级：	5.56
Is Samacsys：	N	访问模式：	FAST PAGE WITH EDO
最长访问时间：	80 ns	其他特性：	RAS ONLY/CAS BEFORE RAS/HIDDEN REFRESH; 256 X 16 SAM PORT
JESD-30 代码：	R-XDFP-F64	JESD-609代码：	e0
长度：	18.985 mm	内存密度：	4194304 bit
内存集成电路类型：	VIDEO DRAM	内存宽度：	16
功能数量：	1	端口数量：	2
端子数量：	64	字数：	262144 words
字数代码：	256000	工作模式：	ASYNCHRONOUS
最高工作温度：	125 °C	最低工作温度：	-55 °C
组织：	256KX16	封装主体材料：	UNSPECIFIED
封装代码：	DFP	封装形状：	RECTANGULAR
封装形式：	FLATPACK	认证状态：	Not Qualified
座面最大高度：	3.81 mm	最大供电电压 (Vsup)：	5.5 V
最小供电电压 (Vsup)：	4.5 V	标称供电电压 (Vsup)：	5 V
表面贴装：	YES	技术：	CMOS
温度等级：	MILITARY	端子面层：	TIN LEAD
端子形式：	FLAT	端子节距：	0.5 mm
端子位置：	DUAL	宽度：	10.985 mm
Base Number Matches：	1

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型号	品牌	获取价格	描述	数据表
5962-9454901MYC	ETC	获取价格	EDO Page Mode VRAM
5962-9454901MYX	WEDC	获取价格	IC 256K X 16 VIDEO DRAM, 80 ns, DFP64, FP-64, Dynamic RAM
5962-9454902MXX	ETC	获取价格	EDO Page Mode VRAM
5962-9454902MYX	ETC	获取价格	EDO Page Mode VRAM
5962-9454903QXA	ETC	获取价格	EDO Page Mode VRAM
5962-9454903QYC	ETC	获取价格	EDO Page Mode VRAM
5962-9455001MXC	WEDC	获取价格	RISC Microprocessor, 32-Bit, CMOS
5962-9455001MXX	ETC	获取价格	32-Bit Microprocessor
5962-9455301M2A	RENESAS	获取价格	QUAD OP-AMP, 350uV OFFSET-MAX, 4MHz BAND WIDTH, CQCC20, CERAMIC, LCC-20
5962-9455301M2X	ETC	获取价格	Voltage-Feedback Operational Amplifier