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5962-9315303MXA

更新时间： 2024-09-24 20:09:47

品牌	Logo	应用领域
艾迪悌 - IDT		信息通信管理静态存储器内存集成电路
页数	文件大小	规格书
7页	195K
描述
Multi-Port SRAM, 4KX9, 20ns, BICMOS, CQCC68, LCC-68

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5962-9315303MXA 技术参数

生命周期：	Active	零件包装代码：	LCC
包装说明：	QCCN, LCC68,.56SQ,25	针数：	68
Reach Compliance Code：	compliant	ECCN代码：	3A001.A.2.C
HTS代码：	8542.32.00.41	风险等级：	5.61
最长访问时间：	20 ns	I/O 类型：	COMMON
JESD-30 代码：	S-CQCC-N68	JESD-609代码：	e0
长度：	14.224 mm	内存密度：	36864 bit
内存集成电路类型：	MULTI-PORT SRAM	内存宽度：	9
功能数量：	1	端口数量：	2
端子数量：	68	字数：	4096 words
字数代码：	4000	工作模式：	ASYNCHRONOUS
最高工作温度：	125 °C	最低工作温度：	-55 °C
组织：	4KX9	输出特性：	3-STATE
可输出：	YES	封装主体材料：	CERAMIC, METAL-SEALED COFIRED
封装代码：	QCCN	封装等效代码：	LCC68,.56SQ,25
封装形状：	SQUARE	封装形式：	CHIP CARRIER
并行/串行：	PARALLEL	电源：	5 V
认证状态：	Qualified	筛选级别：	MIL-STD-883
座面最大高度：	3.048 mm	子类别：	SRAMs
最大压摆率：	0.26 mA	最大供电电压 (Vsup)：	5.5 V
最小供电电压 (Vsup)：	4.5 V	标称供电电压 (Vsup)：	5 V
表面贴装：	YES	技术：	BICMOS
温度等级：	MILITARY	端子面层：	TIN LEAD
端子形式：	NO LEAD	端子节距：	0.635 mm
端子位置：	QUAD	宽度：	14.224 mm
Base Number Matches：	1

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型号	品牌	获取价格	描述	数据表
5962-9315303MXX	IDT	获取价格	Multi-Port SRAM, 4KX9, 20ns, BICMOS, LCC-68
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5962-9315502HXC	WEDC	获取价格	IC 256K X 8 EEPROM 5V MODULE, 150 ns, CDIP32, DUAL CAVITY, SIDE BRAZED, HERMETIC SEALED, C
5962-9315502HXX	ETC	获取价格	x8 EEPROM
5962-9315502HYX	MICROSEMI	获取价格	EEPROM Module, 256KX8, 150ns, Parallel, CMOS, CDIP32, HERMETIC SEALED, BOTTOM BRAZED, CERA
5962-931552HYX	MERCURY	获取价格	EEPROM