是否Rohs认证: | 不符合 | 生命周期: | Obsolete |
零件包装代码: | SOIC | 包装说明: | SOJ, SOJ20/26,.34 |
针数: | 20 | Reach Compliance Code: | not_compliant |
ECCN代码: | EAR99 | HTS代码: | 8542.32.00.02 |
风险等级: | 5.58 | Is Samacsys: | N |
访问模式: | FAST PAGE | 最长访问时间: | 150 ns |
其他特性: | RAS ONLY/CAS BEFORE RAS/HIDDEN REFRESH | I/O 类型: | COMMON |
JESD-30 代码: | R-XDSO-J20 | 长度: | 17.145 mm |
内存密度: | 1048576 bit | 内存集成电路类型: | FAST PAGE DRAM |
内存宽度: | 4 | 功能数量: | 1 |
端口数量: | 1 | 端子数量: | 20 |
字数: | 262144 words | 字数代码: | 256000 |
工作模式: | ASYNCHRONOUS | 最高工作温度: | 125 °C |
最低工作温度: | -55 °C | 组织: | 256KX4 |
输出特性: | 3-STATE | 封装主体材料: | UNSPECIFIED |
封装代码: | SOJ | 封装等效代码: | SOJ20/26,.34 |
封装形状: | RECTANGULAR | 封装形式: | SMALL OUTLINE |
峰值回流温度(摄氏度): | NOT SPECIFIED | 电源: | 5 V |
认证状态: | Not Qualified | 刷新周期: | 512 |
筛选级别: | MIL-STD-883 | 座面最大高度: | 2.54 mm |
最大待机电流: | 0.004 A | 子类别: | DRAMs |
最大压摆率: | 0.055 mA | 最大供电电压 (Vsup): | 5.5 V |
最小供电电压 (Vsup): | 4.5 V | 标称供电电压 (Vsup): | 5 V |
表面贴装: | YES | 技术: | CMOS |
温度等级: | MILITARY | 端子形式: | J BEND |
端子节距: | 1.27 mm | 端子位置: | DUAL |
处于峰值回流温度下的最长时间: | NOT SPECIFIED | 宽度: | 8.385 mm |
Base Number Matches: | 1 |
型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
5962-9061701MYA | TI |
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256KX4 FAST PAGE DRAM, 150ns, DSO20, LCC-20 | |
5962-9061701MYX | TI |
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IC 256K X 4 FAST PAGE DRAM, 150 ns, CDSO20, CERAMIC, LCC-20, Dynamic RAM | |
5962-9061701MZA | ETC |
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x4 Fast Page Mode DRAM | |
5962-9061702MNA | ETC |
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x4 Fast Page Mode DRAM | |
5962-9061702MRA | TI |
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256KX4 FAST PAGE DRAM, 120ns, CDIP20, CERAMIC, DIP-20 | |
5962-9061702MTA | ETC |
获取价格 |
x4 Fast Page Mode DRAM | |
5962-9061702MUA | ETC |
获取价格 |
x4 Fast Page Mode DRAM | |
5962-9061702MXA | TI |
获取价格 |
256KX4 FAST PAGE DRAM, 120ns, DSO20, SOP-20 | |
5962-9061702MYA | ETC |
获取价格 |
x4 Fast Page Mode DRAM | |
5962-9061702MYX | TI |
获取价格 |
IC 256K X 4 FAST PAGE DRAM, 120 ns, CQCC18, CERAMIC, LCC-18, Dynamic RAM |