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5962-9061704MNA

更新时间: 2024-02-23 08:50:44
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其他 - ETC 内存集成电路动态存储器
页数 文件大小 规格书
48页 1553K
描述
x4 Fast Page Mode DRAM

5962-9061704MNA 技术参数

生命周期:Active零件包装代码:LCC
包装说明:SON,针数:20
Reach Compliance Code:unknownECCN代码:EAR99
HTS代码:8542.32.00.02风险等级:5.3
Is Samacsys:N访问模式:FAST PAGE
最长访问时间:80 ns其他特性:RAS ONLY/CAS BEFORE RAS/HIDDEN REFRESH
JESD-30 代码:R-XDSO-N20JESD-609代码:e0
长度:17.145 mm内存密度:1048576 bit
内存集成电路类型:FAST PAGE DRAM内存宽度:4
功能数量:1端口数量:1
端子数量:20字数:262144 words
字数代码:256000工作模式:ASYNCHRONOUS
最高工作温度:125 °C最低工作温度:-55 °C
组织:256KX4封装主体材料:UNSPECIFIED
封装代码:SON封装形状:RECTANGULAR
封装形式:SMALL OUTLINE认证状态:Qualified
筛选级别:MIL-STD-883座面最大高度:2.54 mm
最大供电电压 (Vsup):5.5 V最小供电电压 (Vsup):4.5 V
标称供电电压 (Vsup):5 V表面贴装:YES
技术:CMOS温度等级:MILITARY
端子面层:TIN LEAD端子形式:NO LEAD
端子节距:1.27 mm端子位置:DUAL
宽度:8.89 mmBase Number Matches:1

5962-9061704MNA 数据手册

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