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5962-9061705MUA

更新时间: 2024-01-16 12:20:31
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其他 - ETC 内存集成电路动态存储器
页数 文件大小 规格书
48页 1553K
描述
x4 Fast Page Mode DRAM

5962-9061705MUA 技术参数

是否Rohs认证: 不符合生命周期:Obsolete
包装说明:SON, SOLCC20/26,.35Reach Compliance Code:unknown
风险等级:5.9最长访问时间:70 ns
I/O 类型:COMMONJESD-30 代码:R-XDSO-N20
JESD-609代码:e0内存密度:1048576 bit
内存集成电路类型:FAST PAGE DRAM内存宽度:4
端子数量:20字数:262144 words
字数代码:256000最高工作温度:125 °C
最低工作温度:-55 °C组织:256KX4
输出特性:3-STATE封装主体材料:CERAMIC
封装代码:SON封装等效代码:SOLCC20/26,.35
封装形状:RECTANGULAR封装形式:SMALL OUTLINE
电源:5 V认证状态:Not Qualified
刷新周期:512筛选级别:38535Q/M;38534H;883B
最大待机电流:0.004 A子类别:DRAMs
最大压摆率:0.09 mA标称供电电压 (Vsup):5 V
表面贴装:YES技术:CMOS
温度等级:MILITARY端子面层:Tin/Lead (Sn/Pb) - hot dipped
端子形式:NO LEAD端子节距:1.27 mm
端子位置:DUALBase Number Matches:1

5962-9061705MUA 数据手册

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