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5962-8861102KX

更新时间: 2024-02-21 18:08:23
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其他 - ETC 静态存储器
页数 文件大小 规格书
18页 511K
描述
x4 SRAM

5962-8861102KX 技术参数

生命周期:Active包装说明:DIP,
Reach Compliance Code:compliantECCN代码:3A001.A.2.C
HTS代码:8542.32.00.41风险等级:5.67
最长访问时间:55 nsJESD-30 代码:R-GDIP-T24
长度:32.004 mm内存密度:16384 bit
内存集成电路类型:STANDARD SRAM内存宽度:4
功能数量:1端子数量:24
字数:4096 words字数代码:4000
工作模式:ASYNCHRONOUS最高工作温度:125 °C
最低工作温度:-55 °C组织:4KX4
封装主体材料:CERAMIC, GLASS-SEALED封装代码:DIP
封装形状:RECTANGULAR封装形式:IN-LINE
并行/串行:PARALLEL认证状态:Qualified
座面最大高度:5.08 mm最大供电电压 (Vsup):5.5 V
最小供电电压 (Vsup):4.5 V标称供电电压 (Vsup):5 V
表面贴装:NO技术:CMOS
温度等级:MILITARY端子形式:THROUGH-HOLE
端子节距:2.54 mm端子位置:DUAL
宽度:7.62 mmBase Number Matches:1

5962-8861102KX 数据手册

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