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5962-8861103LX

更新时间: 2024-01-12 05:05:22
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其他 - ETC 内存集成电路静态存储器
页数 文件大小 规格书
18页 511K
描述
x4 SRAM

5962-8861103LX 技术参数

生命周期:Active零件包装代码:DIP
包装说明:DIP,针数:24
Reach Compliance Code:unknownECCN代码:3A001.A.2.C
HTS代码:8542.32.00.41风险等级:5.56
Is Samacsys:N最长访问时间:45 ns
JESD-609代码:e0长度:32.004 mm
内存密度:16384 bit内存集成电路类型:STANDARD SRAM
内存宽度:4功能数量:1
字数:4096 words字数代码:4000
工作模式:ASYNCHRONOUS最高工作温度:125 °C
最低工作温度:-55 °C组织:4KX4
封装主体材料:CERAMIC, GLASS-SEALED封装代码:DIP
封装形式:IN-LINE并行/串行:PARALLEL
认证状态:Qualified座面最大高度:5.08 mm
最大供电电压 (Vsup):5.5 V最小供电电压 (Vsup):4.5 V
标称供电电压 (Vsup):5 V表面贴装:NO
技术:CMOS温度等级:MILITARY
端子面层:TIN LEAD端子形式:THROUGH-HOLE
端子节距:2.54 mm端子位置:DUAL
宽度:7.62 mmBase Number Matches:1

5962-8861103LX 数据手册

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