是否无铅: | 含铅 | 是否Rohs认证: | 不符合 |
生命周期: | Transferred | 零件包装代码: | DIP |
包装说明: | DIP, | 针数: | 28 |
Reach Compliance Code: | compliant | ECCN代码: | 3A001.A.2.C |
HTS代码: | 8542.32.00.51 | 风险等级: | 5.1 |
最长访问时间: | 150 ns | 其他特性: | AUTOMATIC WRITE |
JESD-30 代码: | R-GDIP-T28 | JESD-609代码: | e0 |
长度: | 37.215 mm | 内存密度: | 262144 bit |
内存集成电路类型: | EEPROM | 内存宽度: | 8 |
功能数量: | 1 | 端子数量: | 28 |
字数: | 32768 words | 字数代码: | 32000 |
工作模式: | ASYNCHRONOUS | 最高工作温度: | 125 °C |
最低工作温度: | -55 °C | 组织: | 32KX8 |
封装主体材料: | CERAMIC, GLASS-SEALED | 封装代码: | DIP |
封装形状: | RECTANGULAR | 封装形式: | IN-LINE |
并行/串行: | PARALLEL | 峰值回流温度(摄氏度): | 225 |
编程电压: | 5 V | 认证状态: | Not Qualified |
筛选级别: | MIL-STD-883 Class B | 座面最大高度: | 5.72 mm |
最大供电电压 (Vsup): | 5.5 V | 最小供电电压 (Vsup): | 4.5 V |
标称供电电压 (Vsup): | 5 V | 表面贴装: | NO |
技术: | CMOS | 温度等级: | MILITARY |
端子面层: | TIN LEAD | 端子形式: | THROUGH-HOLE |
端子节距: | 2.54 mm | 端子位置: | DUAL |
处于峰值回流温度下的最长时间: | 30 | 宽度: | 15.24 mm |
最长写入周期时间 (tWC): | 3 ms | Base Number Matches: | 1 |
型号 | 品牌 | 描述 | 获取价格 | 数据表 |
5962-8852515YX | MICROCHIP | EEPROM, 32KX8, 150ns, Parallel, CMOS, CQCC32 |
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5962-8852515ZA | ATMEL | EEPROM, 32KX8, 150ns, Parallel, CMOS, CDFP28, BOTTOM BRAZED, CERAMIC, DFP-28 |
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5962-8852515ZC | XICOR | EEPROM, 32KX8, 150ns, Parallel, CMOS |
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5962-8852515ZX | MICROCHIP | EEPROM, 32KX8, 150ns, Parallel, CMOS, CDFP28 |
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5962-8852516UA | ATMEL | EEPROM, 32KX8, 150ns, Parallel, CMOS, CPGA28, CERAMIC, PGA-28 |
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5962-8852516UC | XICOR | EEPROM, 32KX8, 150ns, Parallel, CMOS, CPGA28 |
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5962-8852516UX | XICOR | EEPROM, 32KX8, 150ns, Parallel, CMOS, PGA-28 |
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5962-8852516XA | ATMEL | EEPROM, 32KX8, 150ns, Parallel, CMOS, CDIP28, 0.600 INCH, CERDIP-28 |
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5962-8852516XC | XICOR | IC 32K X 8 EEPROM 5V, 150 ns, CDIP, CERAMIC, DIP-28, Programmable ROM |
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5962-8852516XX | XICOR | EEPROM, 32KX8, 150ns, Parallel, CMOS, CDIP28, CERAMIC, DIP-28 |
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