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| 是否无铅： | 含铅 | 是否Rohs认证： | 不符合 |
| 生命周期： | Transferred | 零件包装代码： | DIP |
| 包装说明： | DIP, | 针数： | 28 |
| Reach Compliance Code： | compliant | ECCN代码： | 3A001.A.2.C |
| HTS代码： | 8542.32.00.51 | 风险等级： | 5.1 |
| 最长访问时间： | 150 ns | 其他特性： | AUTOMATIC WRITE |
| JESD-30 代码： | R-GDIP-T28 | JESD-609代码： | e0 |
| 长度： | 37.215 mm | 内存密度： | 262144 bit |
| 内存集成电路类型： | EEPROM | 内存宽度： | 8 |
| 功能数量： | 1 | 端子数量： | 28 |
| 字数： | 32768 words | 字数代码： | 32000 |
| 工作模式： | ASYNCHRONOUS | 最高工作温度： | 125 °C |
| 最低工作温度： | -55 °C | 组织： | 32KX8 |
| 封装主体材料： | CERAMIC, GLASS-SEALED | 封装代码： | DIP |
| 封装形状： | RECTANGULAR | 封装形式： | IN-LINE |
| 并行/串行： | PARALLEL | 峰值回流温度（摄氏度）： | 225 |
| 编程电压： | 5 V | 认证状态： | Not Qualified |
| 筛选级别： | MIL-STD-883 Class B | 座面最大高度： | 5.72 mm |
| 最大供电电压 (Vsup)： | 5.5 V | 最小供电电压 (Vsup)： | 4.5 V |
| 标称供电电压 (Vsup)： | 5 V | 表面贴装： | NO |
| 技术： | CMOS | 温度等级： | MILITARY |
| 端子面层： | TIN LEAD | 端子形式： | THROUGH-HOLE |
| 端子节距： | 2.54 mm | 端子位置： | DUAL |
| 处于峰值回流温度下的最长时间： | 30 | 宽度： | 15.24 mm |
| 最长写入周期时间 (tWC)： | 3 ms | Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 描述 | 获取价格 | 数据表 |
| 5962-8852515YX | MICROCHIP | EEPROM, 32KX8, 150ns, Parallel, CMOS, CQCC32 |
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| 5962-8852515ZA | ATMEL | EEPROM, 32KX8, 150ns, Parallel, CMOS, CDFP28, BOTTOM BRAZED, CERAMIC, DFP-28 |
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| 5962-8852515ZC | XICOR | EEPROM, 32KX8, 150ns, Parallel, CMOS |
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| 5962-8852515ZX | MICROCHIP | EEPROM, 32KX8, 150ns, Parallel, CMOS, CDFP28 |
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| 5962-8852516UA | ATMEL | EEPROM, 32KX8, 150ns, Parallel, CMOS, CPGA28, CERAMIC, PGA-28 |
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| 5962-8852516UC | XICOR | EEPROM, 32KX8, 150ns, Parallel, CMOS, CPGA28 |
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