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5962-8852512XX

更新时间： 2024-01-15 14:57:56

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XICOR		可编程只读存储器电动程控只读存储器电可擦编程只读存储器内存集成电路
页数	文件大小	规格书
28页	238K
描述
EEPROM, 32KX8, 200ns, Parallel, CMOS, CDIP28, CERAMIC, DIP-28

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5962-8852512XX 技术参数

生命周期：	Obsolete	包装说明：	DIP,
Reach Compliance Code：	unknown	风险等级：	5.65
最长访问时间：	200 ns	JESD-30 代码：	R-GDIP-T28
内存密度：	262144 bit	内存集成电路类型：	EEPROM
内存宽度：	8	功能数量：	1
端子数量：	28	字数：	32768 words
字数代码：	32000	工作模式：	ASYNCHRONOUS
最高工作温度：	125 °C	最低工作温度：	-55 °C
组织：	32KX8	封装主体材料：	CERAMIC, GLASS-SEALED
封装代码：	DIP	封装形状：	RECTANGULAR
封装形式：	IN-LINE	并行/串行：	PARALLEL
编程电压：	5 V	认证状态：	Not Qualified
筛选级别：	MIL-STD-883 Class B	座面最大高度：	5.9 mm
最大供电电压 (Vsup)：	5.5 V	最小供电电压 (Vsup)：	4.5 V
标称供电电压 (Vsup)：	5 V	表面贴装：	NO
技术：	CMOS	温度等级：	MILITARY
端子形式：	THROUGH-HOLE	端子节距：	2.54 mm
端子位置：	DUAL	宽度：	15.24 mm
最长写入周期时间 (tWC)：	10 ms	Base Number Matches：	1

5962-8852512XX 数据手册

TABLE I. Electrical performance characteristics.

│

Test

│Symbol

│

Conditions

-55°C ≤ T_C≤+125°C

V_SS= 0 V,

│Group A │Device│ Limits

│subgroups │types

│

Unit

│

4.5 V ≤ V_CC≤ 5.5 V

│

│ Min

│ Max

│unless otherwise specified 1/

│

Supply current

(active)

│I_CC1

│ CE = OE = V_IL, WE = V_IH

│ all I/O's = 0 mA,

│Inputs = V_CC= 5.5 V,

│f = 1/tAVAV (minimum)

│

│ 1,2,3

│ All

│

│ 80

│ mA

│

Supply current

(TTL standby)

│I_CC2

│ CE = V_IH, OE = V_IL

│ all I/O's = 0 mA

│Inputs = V_CC-0.3 V

│

│ 1,2,3

│ All

│

│ 3

│ mA

│

Supply current

│I_CC3

│ CE = V_CC-0.3 V

│ 1,2,3

│ All

│

│ 350 │ µA

(CMOS standby)

│

│ all I/O's = 0 mA,

│

│Inputs = V_ILto V_CC-0.3 V

│

Input leakage (high)

Input leakage (low)

│I_IH

│

│V_IN= 5.5 V

│ 1,2,3

│ All

│ -10

│ 10

│ µA

│

│ All

│

│ -10

│

│ 10

│

│I_IL

│

│V_IN= 0.1 V

│

│ 1,2,3

│

│ µA

│

Output leakage (high) │I_OHZ2/ │V_OUT= 5.5 V, CE = V_IH

│ 1,2,3

│

│ All

│

│ -10

│

│ 10

│

│ µA

│

Output leakage (low)

Input voltage low

Input voltage high

Output voltage low

│I_OLZ2/ │V_OUT= 0.1 V, CE = V_IH

│ 1,2,3

│

│ 1,2,3

│

│ 1,2,3

│

│ All

│

│ All

│

│ All

│

│ -10

│

│-0.1

│

│ 2.0

│

│ 10

│

│ µA

│

│V_IL

│

│ 0.8

│

│V_CC

│+ 0.3V │

│

│ V

│

│V_IH

│

│ V

│

│V_OL

│I_OL= 2.1 mA, V_IH= 2.0 V

│ 1,2,3

│ All

│

│ 0.45 │ V

│

│V_CC= 4.5 V, V_IL= 0.8 V

│

│V_OH

│

│ All

│

│ 2.4

│

│ V

│

Output voltage high

│I_OH= -400 µA, V_IH= 2.0 V

│V_CC= 4.5 V, V_IL= 0.8 V

│

│ 1,2,3

│

OE high leakage

(chip erase)

│I_OE

│

│V_H= 13 V

│

│ 1,2,3

│

│ All

│

│ -10

│

│ 100 │ µA

│

See footnotes at end of table.

SIZE

STANDARD

5962-88525

MICROCIRCUIT DRAWING

DEFENSE SUPPLY CENTER COLUMBUS

COLUMBUS, OHIO 43218-3990

REVISION LEVEL

SHEET

DSCC FORM 2234

APR 97

1 2 3 456 7 8...28

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