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| 生命周期： | Obsolete | 包装说明： | DIP, |
| Reach Compliance Code： | unknown | 风险等级： | 5.65 |
| 最长访问时间： | 200 ns | JESD-30 代码： | R-GDIP-T28 |
| 内存密度： | 262144 bit | 内存集成电路类型： | EEPROM |
| 内存宽度： | 8 | 功能数量： | 1 |
| 端子数量： | 28 | 字数： | 32768 words |
| 字数代码： | 32000 | 工作模式： | ASYNCHRONOUS |
| 最高工作温度： | 125 °C | 最低工作温度： | -55 °C |
| 组织： | 32KX8 | 封装主体材料： | CERAMIC, GLASS-SEALED |
| 封装代码： | DIP | 封装形状： | RECTANGULAR |
| 封装形式： | IN-LINE | 并行/串行： | PARALLEL |
| 编程电压： | 5 V | 认证状态： | Not Qualified |
| 筛选级别： | MIL-STD-883 Class B | 座面最大高度： | 5.9 mm |
| 最大供电电压 (Vsup)： | 5.5 V | 最小供电电压 (Vsup)： | 4.5 V |
| 标称供电电压 (Vsup)： | 5 V | 表面贴装： | NO |
| 技术： | CMOS | 温度等级： | MILITARY |
| 端子形式： | THROUGH-HOLE | 端子节距： | 2.54 mm |
| 端子位置： | DUAL | 宽度： | 15.24 mm |
| 最长写入周期时间 (tWC)： | 10 ms | Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 描述 | 获取价格 | 数据表 |
| 5962-8852512YX | MICROCHIP | EEPROM, 32KX8, 200ns, Parallel, CMOS, CQCC32 |
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| 5962-8852512YX | XICOR | EEPROM, 32KX8, 200ns, Parallel, CMOS, CQCC32, CERAMIC, LCC-32 |
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| 5962-8852512ZA | ATMEL | EEPROM, 32KX8, 200ns, Parallel, CMOS, CDFP28, BOTTOM BRAZED, CERAMIC, DFP-28 |
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| 5962-8852512ZC | XICOR | EEPROM, 32KX8, 200ns, Parallel, CMOS, CDFP28, CERAMIC, FP-28 |
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| 5962-8852512ZX | XICOR | EEPROM, 32KX8, 200ns, Parallel, CMOS, CDFP28, CERAMIC, FP-28 |
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| 5962-8852512ZX | MICROCHIP | EEPROM, 32KX8, 200ns, Parallel, CMOS, CDFP28 |
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