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5962-8751413XA

更新时间： 2024-11-07 20:11:55

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爱特美尔 - ATMEL		可编程只读存储器电动程控只读存储器电可擦编程只读存储器内存集成电路
页数	文件大小	规格书
12页	319K
描述
EEPROM, 8KX8, 350ns, Parallel, CMOS, CDIP28, 0.600 INCH, CERDIP-28

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5962-8751413XA 技术参数

是否无铅：	含铅	是否Rohs认证：	不符合
生命周期：	Transferred	零件包装代码：	DIP
包装说明：	DIP, DIP28,.6	针数：	28
Reach Compliance Code：	unknown	ECCN代码：	3A001.A.2.C
HTS代码：	8542.32.00.51	风险等级：	5.64
最长访问时间：	350 ns	其他特性：	AUTOMATIC WRITE; WITH READY/BUSY SIGNAL
命令用户界面：	NO	数据轮询：	YES
JESD-30 代码：	R-GDIP-T28	JESD-609代码：	e0
长度：	37.25 mm	内存密度：	65536 bit
内存集成电路类型：	EEPROM	内存宽度：	8
功能数量：	1	端子数量：	28
字数：	8192 words	字数代码：	8000
工作模式：	ASYNCHRONOUS	最高工作温度：	125 °C
最低工作温度：	-55 °C	组织：	8KX8
输出特性：	3-STATE	封装主体材料：	CERAMIC, GLASS-SEALED
封装代码：	DIP	封装等效代码：	DIP28,.6
封装形状：	RECTANGULAR	封装形式：	IN-LINE
并行/串行：	PARALLEL	峰值回流温度（摄氏度）：	NOT SPECIFIED
电源：	5 V	编程电压：	5 V
认证状态：	Not Qualified	就绪/忙碌：	YES
筛选级别：	38535Q/M;38534H;883B	座面最大高度：	5.72 mm
最大待机电流：	0.00015 A	子类别：	EEPROMs
最大压摆率：	0.045 mA	最大供电电压 (Vsup)：	5.5 V
最小供电电压 (Vsup)：	4.5 V	标称供电电压 (Vsup)：	5 V
表面贴装：	NO	技术：	CMOS
温度等级：	MILITARY	端子面层：	Tin/Lead (Sn/Pb) - hot dipped
端子形式：	THROUGH-HOLE	端子节距：	2.54 mm
端子位置：	DUAL	处于峰值回流温度下的最长时间：	NOT SPECIFIED
切换位：	NO	宽度：	15.24 mm
最长写入周期时间 (tWC)：	1 ms	Base Number Matches：	1

5962-8751413XA 数据手册

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