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5962-8685913XA

更新时间： 2024-11-04 19:55:39

品牌	Logo	应用领域
艾迪悌 - IDT		静态存储器内存集成电路
页数	文件大小	规格书
8页	239K
描述
Standard SRAM, 16KX4, 55ns, CMOS, CQCC28, LCC-28

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5962-8685913XA 技术参数

是否无铅：	含铅	是否Rohs认证：	不符合
生命周期：	Obsolete	零件包装代码：	QLCC
包装说明：	LCC-28	针数：	28
Reach Compliance Code：	not_compliant	ECCN代码：	3A001.A.2.C
HTS代码：	8542.32.00.41	风险等级：	5.28
最长访问时间：	55 ns	I/O 类型：	COMMON
JESD-30 代码：	S-CQCC-N28	JESD-609代码：	e0
长度：	11.4554 mm	内存密度：	65536 bit
内存集成电路类型：	STANDARD SRAM	内存宽度：	4
功能数量：	1	端口数量：	1
端子数量：	28	字数：	16384 words
字数代码：	16000	工作模式：	ASYNCHRONOUS
最高工作温度：	125 °C	最低工作温度：	-55 °C
组织：	16KX4	输出特性：	3-STATE
可输出：	YES	封装主体材料：	CERAMIC, METAL-SEALED COFIRED
封装代码：	QCCN	封装等效代码：	LCC28,.35X.55
封装形状：	SQUARE	封装形式：	CHIP CARRIER
并行/串行：	PARALLEL	峰值回流温度（摄氏度）：	NOT SPECIFIED
电源：	5 V	认证状态：	Not Qualified
筛选级别：	38535Q/M;38534H;883B	座面最大高度：	2.54 mm
最大待机电流：	0.001 A	最小待机电流：	2 V
子类别：	SRAMs	最大压摆率：	0.09 mA
最大供电电压 (Vsup)：	5.5 V	最小供电电压 (Vsup)：	4.5 V
标称供电电压 (Vsup)：	5 V	表面贴装：	YES
技术：	CMOS	温度等级：	MILITARY
端子面层：	Tin/Lead (Sn/Pb) - hot dipped	端子形式：	NO LEAD
端子节距：	1.27 mm	端子位置：	QUAD
处于峰值回流温度下的最长时间：	NOT SPECIFIED	宽度：	11.4554 mm
Base Number Matches：	1

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型号	品牌	获取价格	描述	数据表
5962-8685913XX	ETC	获取价格	x4 SRAM
5962-8685914KX	ETC	获取价格	x4 SRAM
5962-8685914LA	IDT	获取价格	Standard SRAM, 16KX4, 55ns, CMOS, CDIP24, 0.300 INCH, CERDIP-24
5962-8685914LA	MICROSS	获取价格	Standard SRAM, 16KX4, 55ns, CMOS, CDIP24, 0.300 INCH, CERAMIC, DIP-24
5962-8685914LX	ETC	获取价格	x4 SRAM
5962-8685914UA	MICROSS	获取价格	Standard SRAM, 16KX4, 55ns, CMOS, CQCC28, CERAMIC, LCC-28
5962-8685914UX	ETC	获取价格	x4 SRAM
5962-8685914XA	STMICROELECTRONICS	获取价格	16KX4 STANDARD SRAM, 55ns, CQCC28, 0.300 INCH, CERAMIC, LCC-28
5962-8685914XX	ETC	获取价格	x4 SRAM
5962-8685915KX	ETC	获取价格	x4 SRAM