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5962-8685913LA

更新时间： 2024-02-29 23:23:57

品牌	Logo	应用领域
MICROSS		静态存储器内存集成电路
页数	文件大小	规格书
11页	156K
描述
Standard SRAM, 16KX4, 55ns, CMOS, CDIP24, 0.300 INCH, CERAMIC, DIP-24

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5962-8685913LA 技术参数

生命周期：	Active	零件包装代码：	DIP
包装说明：	DIP,	针数：	24
Reach Compliance Code：	unknown	ECCN代码：	3A001.A.2.C
HTS代码：	8542.32.00.41	风险等级：	5.66
最长访问时间：	55 ns	JESD-30 代码：	R-GDIP-T24
JESD-609代码：	e0	长度：	32.004 mm
内存密度：	65536 bit	内存集成电路类型：	OTHER SRAM
内存宽度：	4	功能数量：	1
端子数量：	24	字数：	16384 words
字数代码：	16000	工作模式：	ASYNCHRONOUS
最高工作温度：	125 °C	最低工作温度：	-55 °C
组织：	16KX4	封装主体材料：	CERAMIC, GLASS-SEALED
封装代码：	DIP	封装形状：	RECTANGULAR
封装形式：	IN-LINE	并行/串行：	PARALLEL
认证状态：	Qualified	筛选级别：	MIL-STD-883
座面最大高度：	5.08 mm	最大供电电压 (Vsup)：	5.5 V
最小供电电压 (Vsup)：	4.5 V	标称供电电压 (Vsup)：	5 V
表面贴装：	NO	技术：	CMOS
温度等级：	MILITARY	端子面层：	TIN LEAD
端子形式：	THROUGH-HOLE	端子节距：	2.54 mm
端子位置：	DUAL	宽度：	7.62 mm
Base Number Matches：	1

5962-8685913LA 数据手册

SRAM

MT5C6405

PIN ASSIGNMENT

16K x 4 SRAM

SRAM MEMORY ARRAY

(Top View)

24-Pin DIP (C)

(300 MIL)

AVAILABLE AS MILITARY

SPECIFICATIONS

• SMD 5962-86859

Vcc

•

MIL-STD-883

A10

A11

A12

A13

CE\ 10

OE\ 11

Vss 12

FEATURES

• High Speed: 12, 15, 20, 25, 35, 45, 55, and 70ns

• Battery Backup: 2V data retention

• High-performance, low-power CMOS double-metal

process

DQ4

DQ3

DQ2

DQ1

WE\

• Single +5V (+10%) Power Supply

• Easy memory expansion with CE\

• All inputs and outputs are TTL compatible

28-Pin LCC (EC)

2 1 28 27

OPTIONS

• Timing

MARKING

12ns access

15ns access

20ns access

25ns access

35ns access

45ns access

55ns access

70ns access

-12

-15

-20

-25

A10

A11

A12

A13

CE\

DQ4

19 DQ3

DQ2

13 14 15 16 17

-35

-45*

-55*

-70*

• Package(s)

Ceramic DIP (300 mil) C

Ceramic LCC

GENERAL DESCRIPTION

No. 106

E C

The Micross Components SRAM family employs high-

speed, low-power CMOS designs using a four-transistor mem-

ory cell. Austin Semiconductor SRAMs are fabricated using

double-layer metal, double-layer polysilicon technology.

For ﬂexibility in high-speed memory applications, Micross

Components offers chip enable (CE\) and output enable (OE\)

capability. These enhancements can place the outputs in High-Z

for additional ﬂexibility in system design.

No. 204

• Operating Temperature Ranges

Industrial (-40^oC to +85^oC)

Military (-55^oC to +125^oC)

• 2V data retention/low power

*Electrical characteristics identical to those provided for the 35ns ac-

cess devices.

Writing to these devices is accomplished when write enable

(WE\) and CE\ inputs are both LOW. Reading is accomplished

when WE\ remains HIGH and CE\ and OE\ go LOW. The

device offers a reduced power standby mode when disabled.

This allows system designs to achieve low standby power

requirements.

For more products and information

please visit our web site at

www.miross.com

All devices operate from a single +5V power supply and all

inputs and outputs are fully TTL compatible.

Micross Components reserves the right to change products or speciﬁcations without notice.

MT5C6405

Rev. 2.2 01/10

12 3 4 5 6 7...11

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型号	品牌	描述	获取价格	数据表
5962-8685913LC	STMICROELECTRONICS	16KX4 STANDARD SRAM, 55ns, CDIP24, 0.300 INCH, CERAMIC, DIP-24	获取价格
5962-8685913LX	ETC	x4 SRAM	获取价格
5962-8685913UA	MICROSS	Standard SRAM, 16KX4, 55ns, CMOS, CQCC28, CERAMIC, LCC-28	获取价格
5962-8685913UX	ETC	x4 SRAM	获取价格
5962-8685913XA	IDT	Standard SRAM, 16KX4, 55ns, CMOS, CQCC28, LCC-28	获取价格
5962-8685913XA	STMICROELECTRONICS	16KX4 STANDARD SRAM, 55ns, CQCC28, 0.300 INCH, CERAMIC, LCC-28	获取价格

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