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5962-8601506YA

更新时间： 2024-02-07 20:54:14

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艾迪悌 - IDT		静态存储器内存集成电路
页数	文件大小	规格书
8页	86K
描述
CDIP-22, Tube

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技术参数
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5962-8601506YA 技术参数

生命周期：	Active	零件包装代码：	DIP
包装说明：	DIP, DIP22,.3	针数：	22
Reach Compliance Code：	compliant	ECCN代码：	3A001.A.2.C
HTS代码：	8542.32.00.41	风险等级：	5.26
最长访问时间：	55 ns	I/O 类型：	SEPARATE
JESD-30 代码：	R-XDIP-T22	JESD-609代码：	e0
长度：	27.051 mm	内存密度：	65536 bit
内存集成电路类型：	STANDARD SRAM	内存宽度：	1
功能数量：	1	端子数量：	22
字数：	65536 words	字数代码：	64000
工作模式：	ASYNCHRONOUS	最高工作温度：	125 °C
最低工作温度：	-55 °C	组织：	64KX1
输出特性：	3-STATE	封装主体材料：	CERAMIC, GLASS-SEALED
封装代码：	DIP	封装等效代码：	DIP22,.3
封装形状：	RECTANGULAR	封装形式：	IN-LINE
并行/串行：	PARALLEL	电源：	5 V
认证状态：	Qualified	筛选级别：	38535Q/M;38534H;883B
座面最大高度：	5.08 mm	最大待机电流：	0.001 A
最小待机电流：	2 V	子类别：	SRAMs
最大压摆率：	0.09 mA	最大供电电压 (Vsup)：	5.5 V
最小供电电压 (Vsup)：	4.5 V	标称供电电压 (Vsup)：	5 V
表面贴装：	NO	技术：	CMOS
温度等级：	MILITARY	端子面层：	TIN LEAD
端子形式：	THROUGH-HOLE	端子节距：	2.54 mm
端子位置：	DUAL	宽度：	7.62 mm
Base Number Matches：	1

5962-8601506YA 数据手册

IDT7187S/L

CMOS Static RAM 64K (64K x 1-Bit)

Military Temperature Range

Timing Waveform of Write Cycle No. 2 (CS Controlled Timing)^(1,2,4)

ADDRESS

(3)

tAS

tCW

t_WR

tDW

tDH

VALID DATA

DATA

NOTES:

2986 drw 10

1. WE or CS must be HIGH during all address transitions.

2. A write occurs during the overlap (tWP) of a LOW CS and a LOW WE.

3. tWR is measured from the earlier of CS or WE going HIGH to the end of the write cycle.

4. If the CS LOW transition occurs simultaneously with or after the WE LOW transition, the outputs remain in the high-impedance state.

5. Transition is measured ±200mV from steady state with a 5pF load (including scope and jig).

OrderingInformation

IDT7187

Device

Type

Power

Speed

Package

Process/

Temperature

Range

Military (–55°C to +125°C)

Compliant to MIL-STD-883, Class B

300 mil Ceramic DIP (D22-1)

Speed in nanoseconds

Standard Power

Low Power

2986 drw 11

6.42

1...4 5 678

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