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5962-3826701MZX

更新时间： 2024-01-23 18:03:41

品牌	Logo	应用领域
美国微芯 - MICROCHIP		可编程只读存储器电动程控只读存储器电可擦编程只读存储器 ATM 异步传输模式内存集成电路
页数	文件大小	规格书
17页	435K
描述
EEPROM, 128KX8, 250ns, Parallel, CMOS, CDFP32

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技术参数
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5962-3826701MZX 技术参数

生命周期：	Obsolete	包装说明：	DFP,
Reach Compliance Code：	unknown	风险等级：	5.6
Is Samacsys：	N	最长访问时间：	250 ns
其他特性：	AUTOMATIC WRITE; DATA RETENTION: 10 YEARS	数据保留时间-最小值：	10
JESD-30 代码：	R-XDFP-F32	JESD-609代码：	e0
长度：	20.85 mm	内存密度：	1048576 bit
内存集成电路类型：	EEPROM	内存宽度：	8
功能数量：	1	端子数量：	32
字数：	131072 words	字数代码：	128000
工作模式：	ASYNCHRONOUS	最高工作温度：	125 °C
最低工作温度：	-55 °C	组织：	128KX8
封装主体材料：	UNSPECIFIED	封装代码：	DFP
封装形状：	RECTANGULAR	封装形式：	FLATPACK
并行/串行：	PARALLEL	峰值回流温度（摄氏度）：	240
编程电压：	5 V	认证状态：	Not Qualified
筛选级别：	MIL-STD-883	座面最大高度：	3.048 mm
最大供电电压 (Vsup)：	5.5 V	最小供电电压 (Vsup)：	4.5 V
标称供电电压 (Vsup)：	5 V	表面贴装：	YES
技术：	CMOS	温度等级：	MILITARY
端子面层：	TIN LEAD	端子形式：	FLAT
端子节距：	1.27 mm	端子位置：	DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间：	30	宽度：	11.6586 mm
最长写入周期时间 (tWC)：	10 ms	Base Number Matches：	1

5962-3826701MZX 数据手册

Input Test Waveforms and

Measurement Level

Output Test Load

Pin Capacitance

f = 1 MHz, T = 25°C⁽¹⁾

Symbol

C_IN

Typ

Max

Units

Conditions

V_IN= 0V

C_OUT

V_OUT= 0V

Note:

1. This parameter is 100% characterized and is not 100% tested.

AC Write Characteristics

Symbol

Parameter

Min

Max

Units

t_WC

Write Cycle Time

Address Set-up Time

Address Hold Time

Data Set-up Time

Data Hold Time

s

t_AS

t_AH

t_DS

t_DH

t_WP

Write Pulse Width

Byte Load Cycle Time

Write Pulse Width High

100

t_BLC

t_WPH

150

AT28C010 Military

Atmel-0010I-PEEPR-AT28C010-Datasheet_062015

1...3 4 567 8 9...17

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