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5962-0151101TXC

更新时间： 2024-01-20 01:46:25

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艾法斯 - AEROFLEX		静态存储器
页数	文件大小	规格书
14页	138K
描述
UT9Q512K32 16Megabit SRAM MCM

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5962-0151101TXC 技术参数

生命周期：	Obsolete	零件包装代码：	QFP
包装说明：	GQFF,	针数：	68
Reach Compliance Code：	unknown	ECCN代码：	3A001.A.2.C
HTS代码：	8542.32.00.41	风险等级：	5.8
Is Samacsys：	N	最长访问时间：	25 ns
其他特性：	8 AND 16 BIT OPERATION IS ALSO POSSIBLE	备用内存宽度：	24
JESD-30 代码：	S-CQFP-F68	JESD-609代码：	e0/e4
长度：	22.352 mm	内存密度：	16777216 bit
内存集成电路类型：	SRAM MODULE	内存宽度：	32
功能数量：	1	端子数量：	68
字数：	524288 words	字数代码：	512000
工作模式：	ASYNCHRONOUS	最高工作温度：	125 °C
最低工作温度：	-40 °C	组织：	512KX32
封装主体材料：	CERAMIC, METAL-SEALED COFIRED	封装代码：	GQFF
封装形状：	SQUARE	封装形式：	FLATPACK, GUARD RING
并行/串行：	PARALLEL	认证状态：	Not Qualified
筛选级别：	MIL-PRF-38535 Class T	座面最大高度：	5.2324 mm
最大供电电压 (Vsup)：	5.5 V	最小供电电压 (Vsup)：	4.5 V
标称供电电压 (Vsup)：	5 V	表面贴装：	YES
技术：	CMOS	温度等级：	AUTOMOTIVE
端子面层：	TIN LEAD/GOLD	端子形式：	FLAT
端子节距：	1.27 mm	端子位置：	QUAD
宽度：	22.352 mm	Base Number Matches：	1

5962-0151101TXC 数据手册

t_AVAV

A(18:0)

t_ETEF

t_AVET

t_EFAX

t_AVET

t_ETEF

t_EFAX

t_WLEF

APPLIED DATA

Dn(7:0)

Qn(7:0)

t_WLQZ

t_DVEF

t_EFDX

Assumptions & Notes:

1. G < V (max). If G > V IH (min) then Qn(7:0) will be in three-state for the entire cycle.

2. Either En scenario above can occur.

3. G high for t

cycle.

AVAV

Figure 5b. SRAM Write Cycle 2: Chip Enable - Controlled Access

CMOS

90%

-0.05V

300 ohms

10%

0.5V

10%

= 1.55V

LOAD

< 5ns

50pF

Input Pulses

Notes:

1. 50pF including scope probe and test socket capacitance.

2. Measurement of data output occurs at the low to high or high to low transition mid-point

(i.e., CMOS input = V /2).

Figure 6. AC Test Loads and Input Waveforms

1...7 8 91011 12 13 14

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