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5962-0151101TXC

更新时间： 2024-01-09 14:57:18

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5962-0151101TXC 技术参数

生命周期：	Obsolete	零件包装代码：	QFP
包装说明：	GQFF,	针数：	68
Reach Compliance Code：	unknown	ECCN代码：	3A001.A.2.C
HTS代码：	8542.32.00.41	风险等级：	5.8
Is Samacsys：	N	最长访问时间：	25 ns
其他特性：	8 AND 16 BIT OPERATION IS ALSO POSSIBLE	备用内存宽度：	24
JESD-30 代码：	S-CQFP-F68	JESD-609代码：	e0/e4
长度：	22.352 mm	内存密度：	16777216 bit
内存集成电路类型：	SRAM MODULE	内存宽度：	32
功能数量：	1	端子数量：	68
字数：	524288 words	字数代码：	512000
工作模式：	ASYNCHRONOUS	最高工作温度：	125 °C
最低工作温度：	-40 °C	组织：	512KX32
封装主体材料：	CERAMIC, METAL-SEALED COFIRED	封装代码：	GQFF
封装形状：	SQUARE	封装形式：	FLATPACK, GUARD RING
并行/串行：	PARALLEL	认证状态：	Not Qualified
筛选级别：	MIL-PRF-38535 Class T	座面最大高度：	5.2324 mm
最大供电电压 (Vsup)：	5.5 V	最小供电电压 (Vsup)：	4.5 V
标称供电电压 (Vsup)：	5 V	表面贴装：	YES
技术：	CMOS	温度等级：	AUTOMOTIVE
端子面层：	TIN LEAD/GOLD	端子形式：	FLAT
端子节距：	1.27 mm	端子位置：	QUAD
宽度：	22.352 mm	Base Number Matches：	1

t_AVAV

A(18:0)

Previous Valid Data

Valid Data

t_AVQV

DQn(7:0)

Assumptions:

1. En andG <V (max) and Wn >V (min)

t_AXQX

Figure 4a. SRAM Read Cycle 1: Address Access

A(18:0)

t_ETQV

t_ETQX

t_EFQZ

DQn(7:0)

DATA VALID

Assumptions:

1. G < V (max) and Wn > V (min)

Figure 4b. SRAM Read Cycle 2: Chip Enable -Controlled Access

t_AVQV

A(18:0)

t_GHQZ

t_GLQX

DATA VALID

DQn(7:0)

t_GLQV

Assumptions:

1. En < V (max) andW n >V (min)

Figure 4c. SRAM Read Cycle 3: Output Enable-Controlled Access

1...4 5 678 9 10...14

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型号	品牌	描述	获取价格	数据表
5962-0151201VPA	TI	具有 40V VDD 和 5V 稳压输出的航天级 QMLV 1.5A/1.5A 双通	获取价格
5962-0151301QXX	WEDC	Liquid Crystal Driver, 256-Segment, CMOS, DIE-268	获取价格
5962-0151502QXC	ACTEL	Field Programmable Gate Array, 72000 Gates, 139MHz, 6036-Cell, CMOS, CQFP256, CERAMIC, QFP	获取价格
5962-0151503QYC	ACTEL	Field Programmable Gate Array, 72000 Gates, 116MHz, 6036-Cell, CMOS, CQFP208, CERAMIC, QFP	获取价格
5962-0151504QYX	ACTEL	Field Programmable Gate Array, 72000 Gates, CMOS, CQFP208, CERAMIC, QFP-208	获取价格
5962-0151507QYX	ACTEL	Field Programmable Gate Array, 72000 Gates, CMOS, CQFP208, CERAMIC, QFP-208	获取价格