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5962-01-318-9021

更新时间: 2024-11-09 21:21:55
品牌 Logo 应用领域
瑞萨 - RENESAS 静态存储器光电二极管内存集成电路
页数 文件大小 规格书
11页 412K
描述
IC,SRAM,32KX8,CMOS,DIP,28PIN,PLASTIC

5962-01-318-9021 技术参数

是否Rohs认证: 不符合生命周期:Obsolete
Reach Compliance Code:compliant风险等级:5.73
最长访问时间:150 nsI/O 类型:COMMON
JESD-30 代码:R-PDIP-T28内存密度:262144 bit
内存集成电路类型:STANDARD SRAM内存宽度:8
端子数量:28字数:32768 words
字数代码:32000工作模式:ASYNCHRONOUS
最高工作温度:70 °C最低工作温度:
组织:32KX8输出特性:3-STATE
封装主体材料:PLASTIC/EPOXY封装代码:DIP
封装等效代码:DIP28,.6封装形状:RECTANGULAR
封装形式:IN-LINE并行/串行:PARALLEL
电源:5 V认证状态:Not Qualified
最大待机电流:0.00005 A最小待机电流:2 V
子类别:SRAMs最大压摆率:0.035 mA
标称供电电压 (Vsup):5 V表面贴装:NO
技术:CMOS温度等级:COMMERCIAL
端子形式:THROUGH-HOLE端子节距:2.54 mm
端子位置:DUALBase Number Matches:1

5962-01-318-9021 数据手册

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型号 品牌 获取价格 描述 数据表
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AND Gate, TTL, CDIP14,
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FIFO, 2KX9, 65ns, Asynchronous, CMOS, CDIP28
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D Latch, 1-Func, 9-Bit, CMOS, CDIP24
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D Latch, 1-Func, 9-Bit, CMOS, CDIP24
5962-01-321-2893 BB

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Sample and Hold Circuit, 1 Func, MDIP24,
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D Flip-Flop, 8-Func, Positive Edge Triggered, TTL, CDIP20,
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Standard SRAM, 16KX4, 55ns, CMOS, CDIP22
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FIFO, 512X9, 50ns, Asynchronous, CMOS, CDIP28
5962-01-322-7718 IDT

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FIFO, 1KX9, 50ns, Asynchronous, CMOS, CDIP28
5962-01-324-2457 RENESAS

获取价格

IC,DC/DC CONVERTER,CMOS,CAN,8PIN