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| 是否无铅： | 含铅 | 是否Rohs认证： | 不符合 |
| 生命周期： | Obsolete | 包装说明： | DIP, DIP22,.3 |
| Reach Compliance Code： | not_compliant | 风险等级： | 5.92 |
| 最长访问时间： | 55 ns | I/O 类型： | COMMON |
| JESD-30 代码： | R-XDIP-T22 | 内存密度： | 65536 bit |
| 内存集成电路类型： | STANDARD SRAM | 内存宽度： | 4 |
| 端子数量： | 22 | 字数： | 16384 words |
| 字数代码： | 16000 | 工作模式： | ASYNCHRONOUS |
| 最高工作温度： | 125 °C | 最低工作温度： | -55 °C |
| 组织： | 16KX4 | 输出特性： | 3-STATE |
| 封装主体材料： | CERAMIC | 封装代码： | DIP |
| 封装等效代码： | DIP22,.3 | 封装形状： | RECTANGULAR |
| 封装形式： | IN-LINE | 并行/串行： | PARALLEL |
| 峰值回流温度（摄氏度）： | 260 | 电源： | 5 V |
| 认证状态： | Not Qualified | 筛选级别： | 38535Q/M;38534H;883B |
| 最大待机电流： | 0.0006 A | 最小待机电流： | 2 V |
| 子类别： | SRAMs | 最大压摆率： | 0.11 mA |
| 标称供电电压 (Vsup)： | 5 V | 表面贴装： | NO |
| 技术： | CMOS | 温度等级： | MILITARY |
| 端子形式： | THROUGH-HOLE | 端子节距： | 2.54 mm |
| 端子位置： | DUAL | 处于峰值回流温度下的最长时间： | 6 |
| Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| 5962-01-322-7717 | IDT |
获取价格 |
FIFO, 512X9, 50ns, Asynchronous, CMOS, CDIP28 |
|
| 5962-01-322-7718 | IDT |
获取价格 |
FIFO, 1KX9, 50ns, Asynchronous, CMOS, CDIP28 |
|
| 5962-01-324-2457 | RENESAS |
获取价格 |
IC,DC/DC CONVERTER,CMOS,CAN,8PIN |
|
| 5962-01-324-7648 | TI |
获取价格 |
JBAR-KBAR FLIP-FLOP |
|
| 5962-01-325-4827 | TI |
获取价格 |
IC IC,BUS TRANSCEIVER,SINGLE,8-BIT,ALS-TTL,DIP,20PIN,PLASTIC, Bus Driver/Transceiver |
|
| 5962-01-326-7535 | IDT |
获取价格 |
Standard SRAM, 4KX4, 55ns, CMOS, CDFP20 |
|
| 5962-01-329-7166 | INTEL |
获取价格 |
PCM Codec, A/MU-Law, 1-Func, MOS, CDIP20, |
|
| 5962-01-330-8730 | ADI |
获取价格 |
IC IC,ANALOG SWITCH,QUAD,SPST,CMOS,DIP,16PIN,CERAMIC, Multiplexer or Switch |
|
| 5962-01-332-9625 | MICROCHIP |
获取价格 |
IC,COUNTER,UP,4-BIT BINARY,HCT-CMOS,DIP,14PIN,CERAMIC |
|
| 5962-01-332-9945 | IDT |
获取价格 |
Multi-Port SRAM, 2KX16, 90ns, CMOS, CPGA68 |
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