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54LS20J

更新时间: 2024-10-28 12:34:59
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德州仪器 - TI 栅极
页数 文件大小 规格书
8页 336K
描述
Dual 4-Input NAND Gates

54LS20J 技术参数

生命周期:Obsolete包装说明:DIP,
Reach Compliance Code:unknownHTS代码:8542.39.00.01
风险等级:5.27Is Samacsys:N
系列:LSJESD-30 代码:R-GDIP-T14
长度:19.56 mm负载电容(CL):15 pF
逻辑集成电路类型:NAND GATE功能数量:2
输入次数:4端子数量:14
最高工作温度:125 °C最低工作温度:-55 °C
封装主体材料:CERAMIC, GLASS-SEALED封装代码:DIP
封装形状:RECTANGULAR封装形式:IN-LINE
最大电源电流(ICC):2.2 mA传播延迟(tpd):15 ns
认证状态:Not Qualified座面最大高度:5.08 mm
最大供电电压 (Vsup):5.5 V最小供电电压 (Vsup):4.5 V
标称供电电压 (Vsup):5 V表面贴装:NO
技术:TTL温度等级:MILITARY
端子形式:THROUGH-HOLE端子节距:2.54 mm
端子位置:DUAL宽度:7.62 mm
Base Number Matches:1

54LS20J 数据手册

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Physical Dimensions inches (millimeters)  
Ceramic Leadless Chip Carrier Packa(E)  
Order Number 54LS20LMQB  
NS Package Num
14-Lead Ceramic Dual-In-Line Package (J)  
Order Number 54LS20DMQB or DM54LS20J  
NS Package Number J14A  
4

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